[发明专利]一种改善光刻胶脱落的方法

权利要求书

1.一种改善光刻胶脱落的方法，其特征在于，该方法首先在衬底表面采用氯化铯纳米岛自组装技术制备出一定尺寸及高度的纳米柱阵列，然后在表面具有纳米柱阵列的衬底之上旋涂光刻胶，并水平静置一段时间，使光刻胶充分嵌入纳米阵列之间；

其中，所述一定尺寸及高度的纳米柱阵列，其直径为50-1500纳米，高度为0.2-3微米；所述纳米柱阵列的高度是根据所制备的光刻胶图形的具体厚度来选择的，若所要制备的光刻胶厚度大于20微米，纳米柱阵列的高度应大于2微米；若所要制备的光刻胶厚度为10微米，纳米柱阵列的高度为1微米即可；

所述纳米柱阵列的尺寸是根据所制备的光刻胶图形的具体形貌来选择的，对于宽度在1微米以下的细长结构的光栅，纳米阵列的尺寸要控制在50-200纳米之间；对于面积较小的孤立光刻胶图形，要保证该光刻胶图形覆盖下不少于50根纳米柱阵列。

2.根据权利要求1所述的改善光刻胶脱落的方法，其特征在于，所述水平静置一段时间，是水平静置20分钟。

3.根据权利要求1所述的改善光刻胶脱落的方法，其特征在于，所述衬底采用硅片，所述在衬底表面采用氯化铯纳米岛自组装技术制备出一定尺寸及高度的纳米柱阵列，包括：

将抛光的硅片清洗干净后放入真空镀膜腔体内，蒸发氯化铯薄膜，膜厚100-7000埃；

氯化铯薄膜镀完后，向真空镀膜腔体内通入湿度为10％-70％的气体，显影氯化铯薄膜，氯化铯在湿度气体作用下发生团聚，在硅片表面形成一个个类似水滴的氯化铯纳米岛结构；

以氯化铯纳米岛结构为掩膜，利用等离子体刻蚀技术刻蚀硅片，从而将氯化铯纳米岛结构转移到硅片表面上；

将表面具有氯化铯纳米岛结构的硅片放入水中2分钟，将氯化铯溶解掉，从而制作出直径是50-1500纳米，高度为0.2-3微米的纳米柱阵列。

4.根据权利要求3所述的改善光刻胶脱落的方法，其特征在于，所述以氯化铯纳米岛结构为掩膜，利用等离子体刻蚀技术刻蚀硅片的步骤中，是利用SF₆和C₄F₈为刻蚀气体，He为冷却气体；工作压强4Pa，激励功率400瓦，偏压功率为30瓦，刻蚀时间1-10分钟。

5.根据权利要求3所述的改善光刻胶脱落的方法，其特征在于，所述在表面具有纳米柱阵列的衬底之上旋涂光刻胶之前，还包括：

对表面具有纳米柱阵列的硅片表面进行清洁，以增加光刻胶与硅片的粘附力，具体清洁过程是将表面具有纳米柱阵列的硅片放入反应离子刻蚀机中，通入氧气，被电离后的氧离子能够带走硅片表面附着的有机物。