[发明专利]一种CuO/Ni核壳纳米线及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510977753.2 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN105603469B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 杨峰;陈雷;崔立山 申请(专利权)人: 中国石油大学(北京)
主分类号: C25D1/04 分类号: C25D1/04;B82Y40/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 姚亮
地址: 102249*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 制备 核壳纳米线 阳极氧化铝模板 镍纳米线阵列 浸入 沉积 阴极 氢氧化钠溶液 电化学沉积 纳米线阵列 阳极氧化铝 氧化铝模板 热处理 阳极 红外烘干 磷酸溶液 铜纳米线 乙醇清洗 扩孔 碳棒
【权利要求书】:

1.一种CuO/Ni核壳纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)以阳极氧化铝模板为阴极、碳棒为阳极,采用电化学沉积方法在阳极氧化铝模板中沉积铜纳米线阵列;

(2)将步骤(1)得到的含有铜纳米线阵列的阳极氧化铝模板浸入磷酸溶液中进行扩孔10-40min,扩孔后的模板放置于60-150℃的热处理炉中处理1-2h,得到含有CuO纳米线阵列的阳极氧化铝模板;

(3)利用电化学沉积方法,在含有CuO纳米线阵列的阳极氧化铝模板中沉积镍纳米线阵列,得到含有镍纳米线阵列且含有CuO纳米线阵列的阳极氧化铝模板;

(4)把步骤(3)得到的含有镍纳米线阵列且含有CuO纳米线阵列的阳极氧化铝模板浸入氢氧化钠溶液中,除去氧化铝模板,在乙醇中进行清洗,利用红外灯烘干,从而得到CuO/Ni核壳纳米线;

其中,所述步骤(1)中,在进行沉积之前,先对阳极氧化铝模板进行预处理,所述预处理为利用磁控溅射的方法在其背面溅射一层200nm厚度的Ag层作为导电电极;

在步骤(2)中,沉积镍纳米线阵列的每升电解液中含有100g的NiSO4·6H2O、30g的NiCl2、40g的H3BO3;沉积电压为3V。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在步骤(1)中,所述阳极氧化铝模板的孔径大小为20-80nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在所述步骤(1)中,沉积铜纳米线阵列的每升电解液中含有90g的CuSO4·5H2O、45g的H2SO4

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在所述步骤(1)中,在进行沉积时,沉积电压为2V。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在步骤(2)中,所述磷酸溶液的质量分数为5%。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:在步骤(4)中,所述氢氧化钠溶液的物质的量浓度为6mol/L。

7.一种权利要求1-6任意一项所述的制备方法制备得到的CuO/Ni核壳纳米线。

8.根据权利要求7所述的CuO/Ni核壳纳米线,其特征在于:该CuO/Ni核壳纳米线的直径为50-120nm,长度为5-25μm。

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