[发明专利]适用于纯水压元件的QPQ盐浴处理工艺

权利要求书

1.适用于纯水压元件的QPQ盐浴处理工艺，其特征在于：工艺步骤如下：

1）清洗

在水基清洗剂的作用下，超声波清洗将工件表面的污垢剥离脱落；

2）预热

在350-400℃的温度下，在空气炉中对工件加热10-20min；

3）盐浴氮化

温度420-460℃，时间120~150min;

所述的氮化盐按质量计，配方组成为：尿素30-50%、Na₂CO₃4-8%、K₂CO₃6-10%、Li₂CO₃5-10%、KCNO12-25%、NaCNO8-15%、NaCl5-8%、Na₂S4-8%、K₂S6-10%、LiOH2-5%；

4）盐浴氧化

温度400-420℃，时间15~20min；

5）冷却

在空气下冷却，机械抛光；

6）再氧化

温度400-420℃，时间5~10min，浸油。

2.根据权利要求1所述的适用于纯水压元件的QPQ盐浴处理工艺，其特征在于：所述的氮化盐按质量计，配方组成为：尿素30-40%、Na₂CO₃4-5%、K₂CO₃6-7%、Li₂CO₃8-10%、KCNO15-20%、NaCNO8-10%、NaCl5-6%、Na₂S4-5%、K₂S6-8%、LiOH2-3%。

3.根据权利要求1所述的适用于纯水压元件的QPQ盐浴处理工艺，其特征在于：所述的盐浴需要连续通入压缩空气，通气量为400～450L/h。

4.根据权利要求1所述的适用于纯水压元件的QPQ盐浴处理工艺，其特征在于：所述的盐要缓慢分批加入。

5.根据权利要求1所述的适用于纯水压元件的QPQ盐浴处理工艺，其特征在于：所述的超声波清洗的振动频率范围在60～100kHz，功率密度设定在0.6-1W/C。