[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510980329.3 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106904568B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功能材料层 基底 电子装置 覆盖层 缓冲层 顶角 制备 第二金属层 第一金属层 台阶形结构 添加氧化物 缝隙孔洞 金属叠层 金属膜 侧壁 分层 减小 圆化 制程 上层 覆盖 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有尺寸小于所述基底的功能材料层，以形成台阶形结构，在所述基底上和所述功能材料层的侧壁上形成有顶角变圆的缓冲层；
步骤S2：在所述缓冲层和所述功能材料层上形成覆盖层，以覆盖所述功能材料层；
步骤S3：在所述覆盖层上交替地形成第一金属层和第二金属层，以形成至少包含4层的金属叠层结构，以减小所述金属叠层结构的应力。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述覆盖层选用氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11：在所述基底上形成第一缓冲层并在所述第一缓冲层上形成图案化的所述功能材料层；
步骤S12：在所述第一缓冲层和所述功能材料层上沉积第二缓冲层，以覆盖所述功能材料层；
步骤S13：蚀刻所述第二缓冲层，以去除所述第一缓冲层上的所述第二缓冲层，同时圆化所述功能材料层侧壁上的所述第二缓冲层的顶角，以使所述顶角变圆。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步骤S13中先湿法蚀刻再干法蚀刻所述第二缓冲层，以使所述第二缓冲层的所述顶角变圆。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的厚度之和为
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功能材料层为所述MEMS器件的震荡杆。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层选用Cr；
所述第二金属层选用Au。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为
所述第二金属层的厚度为
9.一种如权利要求1至8之一所述方法制备得到的MEMS器件。
10.一种电子装置，包括权利要求9所述的MEMS器件。
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