[发明专利]一种高效SiC晶体扩径方法在审
| 申请号： | 201510982407.3 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105525351A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 高攀;刘熙;严成锋;忻隽;孔海宽;郑燕青;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 sic 晶体 方法 | ||
1.一种高效扩大碳化硅晶体直径的方法，其特征在于，在籽晶托上固定由小尺寸籽晶拼接而成的大尺寸籽晶，采用物理气相传输生长方法生长大尺寸碳化硅晶体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述小尺寸籽晶通过对4英寸及以下晶锭加工处理制得。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述大尺寸籽晶为4英寸以上籽晶，优选6英寸籽晶和8英寸籽晶。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述大尺寸籽晶的形状为圆形、方形或多边形。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述大尺寸籽晶是由四片尺寸相同的1/4扇形小尺寸籽晶拼接而成圆形籽晶。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，将所得的大尺寸碳化硅晶体加工为籽晶后拼接为更大的籽晶，采用物理气相传输生长方法生长更大尺寸碳化硅晶体。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述大尺寸籽晶通过粘结剂或卡环方式固定于所述籽晶托的朝向晶体生长原料的一面上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述籽晶托为石墨籽晶托，包括石墨基底和设置于石墨基底面向籽晶一侧的表面上的致密碳化硅多晶层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述致密碳化硅多晶层的厚度为0.1～20mm，优选2～10mm。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述致密碳化硅多晶层的平整度为0.1～50μm，优选<1μm。
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