[发明专利]一种大面积平行堆栈式封装结构和封装方法有效
申请号: | 201510982782.8 | 申请日: | 2015-12-24 |
公开(公告)号: | CN105405777B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 颜莉华 | 申请(专利权)人: | 南京慧感电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 210000 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 划线槽 元器件 封装结构 平行堆栈 芯片 外封盖 封装 制备方法工艺 半导体工艺 产品封装 基板电性 平行方式 堆栈 划槽 良率 兼容 承载 | ||
本发明公开了一种大面积平行堆栈式封装结构和封装方法,包括基板、划线槽、外封盖、多个待封芯片和/或元器件,其中:所述基板,用以承载待封芯片和/或元器件;所述多个待封芯片和/或元器件,以平行方式依次堆栈在所述基板上,并与所述基板电性连接;所述划线槽,形成于基板的划槽区域上;所述外封盖,通过所述划线槽套设在所述基板上。本发明可以有效提高产品封装的良率,总体降低产品的成本,且制备方法工艺简单,效果显著,且兼容于一般的半导体工艺,适用于工业生产。
技术领域
本发明属于半导体封装技术领域,尤其是涉及一种大面积平行堆栈式封装结构和封装方法。
背景技术
目前半导体制造行业,封装的结构和方式多种多样,但是总体的趋势是产品的小型化,以及产品功能的多样化。
封装的分类方式有多种:
如果按照封装的材料来分,可以分为塑料封装、陶瓷封装以及金属封装;
如果按照和PCB板连接的方式来分,可以分为通孔式封装(Plating ThroughHole,简称PTH)和表面贴装式封装(Surface Mount Technology,简称SMT);
如果按照封装的外形来分,可以分为四方无引脚扁平封装(Quad Flat No-leadPackage,简称QFN)、四方引脚扁平式封装(Quad Flat Package,简称QFT)、小外形IC封装(Small Outline Integrated Circuit Package,简称SOIC)、薄小外形封装(Thin ShrinkSmall Outline Package,简称TSSOP)、球栅阵列式封装(Ball Grid Array,简称BGA)和芯片尺寸级封装(Chip Size Package,简称CSP)。
封装的方式也从传统的平面式封装发展到现在的3D式封装,为了使得产品能够大规模的生产,封装厂通常会采用晶圆级的封装。
现有技术中存在诸多不足:
首先,比如在半导体镜头和模组的封装中,使用晶圆级的堆叠封装可以快速大规模的生产。但对于这样的生产,晶圆堆栈的偏差是非常关键和重要的瓶颈,它直接关系到产品的良率和最终的产出。而堆栈的精准度往往要求1-2微米,对于多层堆叠的封装,这样的误差会累积,使得最终合格的产品非常少。为了提高产品对位的精准度,往往需要投入大量的资金购置昂贵的机台,以提高产品的良率。
其次,产品的良率很难把握。在多层堆叠时,中间产品的良率不可控制,往往需要到所有工艺流程做完,才能检测产品的性能。中间任何一步工艺如果发生较大的偏差,都会导致整片晶圆的所有产品报废。
最后,产品的封装费用在产品整体的成本中占非常大的比例,以上这样的晶圆封装方式使得产品稳定性差,工艺和设备要求高,但最终的产品良率低,总体生产成本高。这就需要开发更高效的封装方式或封装结构,提高总体的封装良率。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种大面积平行堆栈式的封装结构和工艺,将切割并测试完成的芯片封装在晶圆或者基板上,通过大面积平行堆栈的方式完成结构封装,在完成单层或者多层堆栈后进行切割,分离之后获得单个产品,以此提供了一种工艺简单、可控性良好且可靠性高的封装结构和工艺。
为了达到上述发明目的,解决其技术问题所采用的技术方案如下:
本发明公开了一种大面积平行堆栈式封装结构,包括基板、划线槽、外封盖、多个待封芯片和/或元器件,其中:
所述基板,用以承载待封芯片和/或元器件;
所述多个待封芯片和/或元器件,以平行方式依次堆栈在所述基板上,并与所述基板电性连接;
所述划线槽,形成于基板的划槽区域上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造