[发明专利]改善刻蚀对称性的等离子处理装置及调节方法

权利要求书

1.一种改善刻蚀对称性的等离子处理装置，该装置包含等离子体反应腔，该等离子体反应腔内底部设有放置晶圆的基座，该基座与等离子体反应腔内壁之间设有限制环，限制环下设有与限制环射频耦合的接地环；

其特征在于，所述接地环与限制环之间设有绝缘材料制成的间隔部件；该间隔部件使限制环整体与接地环之间形成一大于等于0.2毫米的间隔距离。

2.如权利要求1所述的改善刻蚀对称性的等离子处理装置，其特征在于，所述接地环上表面设有孔槽，间隔部件固定在孔槽中，间隔部件的顶部高出接地环的上表面，并与限制环的下表面相抵，间隔部件顶部高出接地环上表面的距离即为限制环与接地环之间的间隔距离。

3.如权利要求1所述的改善刻蚀对称性的等离子处理装置，其特征在于，所述接地环与限制环之间间隔距离小于1毫米。

4.如权利要求1或2或3所述的改善刻蚀对称性的等离子处理装置，其特征在于，所述接地环与限制环之间设有三个或三个以上的间隔部件。

5.如权利要求4所述的改善刻蚀对称性的等离子处理装置，其特征在于，所述间隔部件均匀分布于地环与限制环之间的各个区域。

6.如权利要求1所述的改善刻蚀对称性的等离子处理装置，其特征在于，所述限制环上设有连通其上下面的槽口，槽口采用点状、或环状、或放射状、或齿状。

7.一种等离子处理装置调节方法，该等离子处理装置包含一个等离子体反应腔，等离子体反应腔内底部设有一个放置晶圆的基座，基座与等离子体反应腔内壁之间设有限制环，限制环下设有与限制环射频耦合的接地环；

其特征在于，该调节方法包含：

限制环与接地环之间设置绝缘材料制成的间隔部件；

增加限制环与接地环之间的间距距离，减小限制环的对地电容和电容比变化率；或者，减小限制环与接地环之间的间距距离，提高限制环的对地电容和电容比变化率；

所述限制环与接地环之间的间距距离大于等于0.2毫米。

8.如权利要求7所述的调节方法，其特征在于，调节限制环与接地环之间的间距距离小于1毫米。

9.如权利要求7或8所述的调节方法，其特征在于，在限制环与接地环之间各个区域均匀分布调节部件，分别设定各个区域的调节部件的高度，调节限制环与接地环之间各个区域的间隔距离，主动调节刻蚀对称性。