[发明专利]等离子体处理装置及其清洗方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包含：

反应腔室（1）；

所述反应腔室（1）内的顶部设有喷淋头（4），向反应腔室（1）内引入清洁气体；所述喷淋头（4）处设置有第一电极；

所述反应腔室（1）内的底部设有基座（6）；所述基座（6）处设置有第二电极；

其特征在于，该等离子体处理装置还包含：

移动环（2），其沿反应腔室（1）的侧壁内侧设置，隔离反应腔室（1）的侧壁；

所述移动环（2）内设置有第三电极（10），该第三电极（10）上施加有高压电源（13），在该第三电极（10）的附近区域形成局部DBD等离子体（14），以对位于第三电极（10）附近的部件，包括移动环（2）的表面进行局部增强的等离子体清洗。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的高压电源（13）的输出电压的幅值为100V～20kV，频率为1kHz～50kHz。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的第三电极（10）沿移动环（2）的圆周方向设置，呈环状。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的第三电极（10）的截面形状与移动环（2）面向反应腔室（1）内部的表面形状相匹配。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的第三电极（10）与高压电源（13）之间，还通过电路连接设置高压继电器（12），控制高压电源（13）是否施加至第三电极（10）。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的第三电极（10）与高压继电器（12）之间，还通过电路连接设置低通滤波器（11），其通过高压同轴电缆与所述的第三电极（10）连接。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述的第一电极接地，第二电极上施加射频功率电源（9），在基座和喷淋头之间形成主等离子体（5），对反应腔室（1）内的部件进行清洗。

8.一种等离子体清洗方法，所述方法用于晶圆刻蚀结束并移出反应腔室（1）后进行，其特征在于，清洗整个反应腔室（1）内的部件，包含：

第一步骤，施加射频功率电源（9）至反应腔室（1）内底部基座（6）处的第二电极，对反应腔室（1）内顶部喷淋头（4）引入的清洁气体进行激发，在基座（6）与喷淋头（4）之间形成主等离子体（5），以对反应腔室（1）内的部件进行清洗；

第二步骤，施加高压电源（13）至移动环（2）内的第三电极（10），对反应腔室（1）内顶部喷淋头（4）引入的清洁气体进行激发，在第三电极（10）的附近区域形成局部DBD等离子体（14），以对位于第三电极（10）附近的部件，包括移动环（2）的表面进行局部增强的等离子体清洗；其中，所述的移动环（2）沿反应腔室（1）的侧壁内侧设置，隔离反应腔室（1）的侧壁；

所述第一步骤和第二步骤同时进行或者单独进行。

9.如权利要求8所述的等离子体清洗方法，其特征在于，所述的高压电源（13）的输出电压的幅值为100V～20kV，频率为1kHz～50kHz。

10.如权利要求8所述的等离子体清洗方法，其特征在于，所述的第三电极沿移动环的圆周方向设置，呈环状。

11.如权利要求10所述的等离子体清洗方法，其特征在于，所述的第三电极（10）的截面形状与移动环（2）面向反应腔室（1）内部的表面形状相匹配。

12.如权利要求8所述的等离子体清洗方法，其特征在于，所述的第三电极（10）与高压电源（13）之间，还通过电路连接设置高压继电器（12），通过接通该高压继电器（12），施加高压电源（13）至第三电极（10）。

13.如权利要求12所述的等离子体清洗方法，其特征在于，所述的第三电极（10）与高压继电器（12）之间，还通过电路连接设置低通滤波器（11），其通过高压同轴电缆与所述的第三电极（10）连接。