[发明专利]一种半导体器件制作光刻对准方法有效

专利信息
申请号: 201510985299.5 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN106919015B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 岳金亮;陈辉;宋里千;程银华;刘鹏飞;郭可 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;H01L23/544
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 赵洪
地址: 412001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 制作 光刻 对准 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件制作光刻对准方法,其特征在于,所述方法用于半导体器件制作过程中,当工艺对准层(3)或光刻对准标记(1)不清晰,但基底层(2)具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记(1)时对所述工艺对准层(3)进行光刻对准,所述方法包括:在基底层(2)上形成工艺对准层(3)之后,对所述工艺对准层(3)进行匀光刻胶(6)之前,在所述工艺对准层(3)上形成二次对准标记(4)的步骤;

所述方法包括以下步骤:

S101:在所述工艺对准层(3)的标记区域滴匀或淀积形成标记物质(5);

S102:去除部分的标记物质(5),使得只有标记区域的凹型区具有该标记物质(5),以形成所述二次对准标记(4);

S103:在前述步骤的基础上,对所述工艺对准层(3)进行匀光刻胶(6)处理;

S104:利用所述二次对准标记(4)进行对准,再对所述光刻胶(6)进行曝光;

所述标记物质(5)为液体物质,所述标记物质(5)包括以下性质:

所述标记物质(5)能挥发或能被显影液去除,但在所述光刻胶(6)的覆盖下不能挥发,涂覆所述标记物质(5),经过调试使得只有所述标记区域的凹型区具有所述标记物质(5),以避免曝光对准时所述标记物质(5)不能起到识别作用;

在显影后位于无光刻胶(6)区域的所述标记物质(5)能自动挥发掉或能被显影液去除,以避免影响所述光刻胶(6)的解析图案和所述半导体器件的性能;

所述标记物质(5)与所述工艺对准层(3)之间具有足够的对比,使得机台能够识别所述标记物质(5)。

2.一种半导体器件制作光刻对准方法,其特征在于,所述方法用于半导体器件制作过程中,当工艺对准层(3)或光刻对准标记(1)不清晰,但基底层(2)具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记(1)时对所述工艺对准层(3)进行光刻对准,所述方法包括:在基底层(2)上形成工艺对准层(3)之后,对所述工艺对准层(3)进行匀光刻胶(6)之前,在所述工艺对准层(3)上形成二次对准标记(4)的步骤;

所述方法包括以下步骤:

S101:在所述工艺对准层(3)的标记区域滴匀或淀积形成标记物质(5);

S102:去除部分的标记物质(5),使得只有标记区域的凹型区具有该标记物质(5),以形成所述二次对准标记(4);

S103:在前述步骤的基础上,对所述工艺对准层(3)进行匀光刻胶(6)处理;

S104:利用所述二次对准标记(4)进行对准,再对所述光刻胶(6)进行曝光;

所述标记物质(5)为固体物质,所述标记物质(5)包括以下性质:

通过采用所述标记物质(5)镀膜能覆盖标记区域,通过刻蚀或化学机械抛光使得只有所述标记区域的凹型区具有所述标记物质(5);

所述标记物质(5)与所述工艺对准层(3)之间具有足够的对比,使得机台能够识别所述标记物质(5);

能通过包括刻蚀、去胶在内的工艺去除所述标记物质(5),以避免影响所述光刻胶(6)的解析图案和所述半导体器件的性能。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件制作光刻对准方法,其特征在于,在所述步骤S104之后进一步包括以下步骤:

S105:对所述光刻胶(6)进行显影;

S106:进行该工艺对准层(3)的常规工艺;

S107:进行半导体器件的标准工艺。

4.根据权利要求3所述的半导体器件制作光刻对准方法,其特征在于:当所述标记区域位于曝光区域,且所述标记物质(5)为液体物质时,在步骤S104的对准过程中,所述二次对准标记(4)起到优化对准作用,之后所述标记区域完全曝光、显影,在步骤S105的显影过程后无所述光刻胶(6)覆盖,所述标记物质(5)能通过显影过程去除,再进行步骤S106和步骤S107。

5.根据权利要求3所述的半导体器件制作光刻对准方法,其特征在于:当所述标记区域位于非曝光区域,且所述标记物质(5)为液体物质时,在步骤S104的对准过程中,所述二次对准标记(4)起到优化对准作用,之后所述标记区域未曝光、显影,在步骤S105的显影过程后所述标记区域存在光刻胶(6),进行步骤S106后再去除所述标记区域的光刻胶(6),并去除所述标记物质(5),再进行步骤S107。

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