[发明专利]一种半导体发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201510985445.4 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105449060A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;王明洋;戴俊;李志聪;孙一军;王国宏;邱斌 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光二极管 芯片 | ||
1.一种半导体发光二极管芯片，包括第一导电类型半导体层、发光层、电子阻挡层、第二导电类型半导体层、第一电极和第二电极；其特征在于所述第一导电类型半导体层为两层，在两层第一导电类型半导体层之间设置二维电子气层；所述第二导电类型半导体层为两层，在两层第二导电类型半导体层之间设置二维空穴气层；第一电极与两层第一导电类型半导体层和二维电子气层分别连接，第二电极与两层第二导电类型半导体层和二维空穴气层分别连接。
2.根据权利要求1所述半导体发光二极管芯片，其特征在于在远离发光层的第一导电类型半导体层的一侧设置衬底层，在第一导电类型半导体层和衬底层之间设置高温本征层，在二维电子气层以及二维电子气层两侧的第一导电类型半导体层外围的高温本征层上设置闭合环状的第一电极；在二维空穴气层以及二维空穴气层两侧的第二导电类型半导体层外围的电子阻挡层上设置闭合环状的第二电极。
3.根据权利要求1所述半导体发光二极管芯片，其特征在于在远离发光层的第一导电类型半导体层的一侧设置衬底层，在第一导电类型半导体层和衬底层之间设置高温本征层，在二维电子气层以及二维电子气层两侧的第一导电类型半导体层外围的高温本征层上设置闭合环状的第一电极；第二电极的表面设置在第二导电类型半导体层的上表面，所述第二电极的内端穿过二维空穴气层及二维空穴气层两侧的第二导电类型半导体层设置在电子阻挡层上。
4.根据权利要求1所述半导体发光二极管芯片，其特征在于第一电极的表面设置在远离发光层的第一导电类型半导体层外侧，第一电极的内端穿过二维电子气层以及二维电子气层两侧的第一导电类型半导体层与接近发光层的第一导电类型半导体层接触；第二电极的表面设置在远离第二导电类型半导体层的一侧，第二电极的内端穿过二维空穴气层及二维空穴气层两侧的第二导电类型半导体层与电子阻挡层接触，在第二电极的表面键合转移衬底。
5.根据权利要求1或2或3或4所述半导体发光二极管芯片，其特征在于所述二维电子气层具有高于1×1013/cm2的面电子浓度的通道。
6.根据权利要求1或2或3或4所述半导体发光二极管芯片，其特征在于所述二维空穴气层具有高于1×1013/cm2的面空穴浓度的通道。
7.根据权利要求1所述半导体发光二极管芯片，其特征在于所述第一电极采用功函数大的金属材料，第二电极采用功函数小的金属材料。
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