[发明专利]一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置

权利要求书

1.一种用于半导体晶片剥去光刻胶装置，包含支撑架；其特征在于，该装置还包含：

至少一个处理腔，设置在所述支撑架上；

至少一个真空进样腔，与所述至少一个处理腔连接；

至少一个加热器，设置在对应所述至少一个处理腔的上方，所述至少一个加热器为辐射加热器；

至少一个刻蚀腔，设置在所述支撑架上；

传输腔，设置在所述支撑架上，并使得晶片在所述至少一个处理腔、所述至少一个真空进样腔及所述至少一个刻蚀腔之间传输。

2.如权利要求1所述的用于半导体晶片剥去光刻胶装置，其特征在于，所述至少一个加热器的工作功率≥10Kw，使得所述晶片在灯加热器的照射下在10s内该晶片表面达到200℃-270℃的温度。

3.如权利要求1所述的用于半导体晶片剥去光刻胶装置，其特征在于，所述真空进样腔与所述处理腔相互连通。

4.如权利要求3所述的用于半导体晶片剥去光刻胶装置，其特征在于，所述真空进样腔靠近所述传输腔的一侧设有第一真空传递门；所述真空进样腔的另一侧设有晶片送入门；该真空进样腔内设有放置台，用于放置晶片。

5.如权利要求4所述的用于半导体晶片剥去光刻胶装置，其特征在于，所述处理腔内包含：

反应窗及隔板组件，设置在所述处理腔顶部；所述加热器透过所述反应窗及隔板组件对放入所述处理腔内的晶片进行加热；

离子喷射器，设置在所述处理腔外部，向该处理腔内部喷射等离子反应气体；

基台，设置在所述处理腔内；晶片设置在所述基台上；

第二真空传递门，设置在所述处理腔靠近所述传输腔的侧壁上；所述传输腔通过所述第二真空传递门将晶片送入所述处理腔的所述基台上。

6.如权利要求5所述的用于半导体晶片剥去光刻胶装置，其特征在于，所述至少一个刻蚀腔设有第三真空传递门；所述传输腔通过所述第一真空传递门与所述真空进样腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第二真空传递门与所述处理腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第三真空传递门与所述至少一个刻蚀腔进行晶片传递。

7.如权利要求1所述的用于半导体晶片剥去光刻胶装置，其特征在于，所述真空进样腔分别设置在一对所述处理腔之间。

8.如权利要求7所述的用于半导体晶片剥去光刻胶装置，其特征在于，所述真空进样腔靠近所述传输腔的一侧设有第一真空传递门；所述真空进样腔的另一侧设有晶片送入门；该真空进样腔内设有一对放置台，所述一对放置台上下相叠设置，每个所述放置台用于放置晶片。

9.如权利要求8所述的用于半导体晶片剥去光刻胶装置，其特征在于，每个所述处理腔内包含：

反应窗及隔板组件，设置在所述处理腔顶部；所述加热器透过所述反应窗及隔板组件对放入所述处理腔内的晶片进行加热；

离子喷射器，设置在所述处理腔外部，向该处理腔内部喷射等离子反应气体；

基台，设置在所述处理腔内；晶片设置在所述基台上；

第二真空传递门，设置在所述处理腔靠近所述传输腔的侧壁上；所述传输腔通过所述第二真空传递门将晶片送入所述处理腔的所述基台上。

10.如权利要求9所述的用于半导体晶片剥去光刻胶装置，其特征在于，所述至少一个刻蚀腔设有第三真空传递门；所述传输腔通过所述第一真空传递门与所述真空进样腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第二真空传递门与所述处理腔进行晶片传递，所述传输腔通过所述第三真空传递门与所述所述至少一个刻蚀腔进行晶片传递。