[发明专利]一种毫米波硅基片载端射天线有效
| 申请号： | 201510986025.8 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105552541B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 邓小东;熊永忠 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01Q1/38 | 分类号： | H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 任远高 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 毫米波 硅基片载端射 天线 | ||
【权利要求书】：
1.一种毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，包括硅衬底（1）、CPW馈电端口（2）、巴伦（3）、偶极子（4）、反射面（5）；所述CPW馈电端口（2）与所述巴伦（3）连接；所述毫米波硅基片载端射天线通过所述偶极子（4）向外辐射能量；所述反射面（5）与所述CPW馈电端口（2）的接地面组合构成反射器；还包括位于所述偶极子（4）前端的介质谐振引向器（6），所述介质谐振引向器（6）由所述偶极子（4）前端延伸出的一段硅衬底（1）构成；所述介质谐振引向器（6）长度0.2-0.4λg，与所述偶极子（4）距离为0.3-0.4λg，其中，λg为毫米波在硅衬底中的介质波长。
2.根据权利要求1所述的一种毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，所述偶极子（4）长度为0.2-0.5λ，宽度为0.02λ，其中，λ表示毫米波在真空中的介质波长。
3.根据权利要求1所述的一种毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，所述反射面（5）边长尺寸大于2λ，其中，λ表示毫米波在真空中的介质波长。
4.根据权利要求1所述的一种毫米波硅基片载端射天线，其特征在于，所述硅衬底（1）的厚度小于0.25λg，其中，λg为毫米波在硅衬底中的介质波长。
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