[发明专利]一种降低GaN器件漏电流的方法

权利要求书

1.一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：包括以下制备步骤：

（a）对GaN基片的表面进行清洗处理；

（b）通过台面光刻形成注入区（5），并对注入区（5）注入隔离；

（c）在处理好的GaN基片表面上生长一层高介电常数介质材料层（6）；

（d）在淀积的高介电常数介质材料层（6）表面上生长一层复合介质材料层（7）；

（e）复合介质材料层（7）淀积完后进行退火；

（f）光刻形成源漏电极区，刻蚀复合介质材料层（7）和高介电常数介质材料层（6），刻蚀出源漏电极通孔，淀积金属形成源漏电极（8）；

（g）高温退火形成源漏电极欧姆接触；

（h）光刻形成栅极区，并刻蚀复合介质材料层（7），刻蚀出栅极槽，淀积金属形成栅电极（9）。

2.根据权利要求1所述的一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：所述步骤（a）中的GaN基片包括衬底（1）、AlN缓冲层（2）、非掺杂GaN外延层（3）、高掺杂AlGaN势垒层（4）。

3.根据权利要求1所述的一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：所述步骤（a）中清洗步骤为：依次为三氯乙烷浸泡5-10min，丙酮浸泡5-10min，异丙醇浸泡5-10min，去离子水冲洗5-10min，最后使用氮气吹干。

4.根据权利要求1所述的一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：所述步骤（b）中注入的离子为Al⁺、He⁺。

5.根据权利要求1所述的一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：所述步骤（c）中所述的高介电常数介质材料层（6）为氧化铝或者氧化铪，厚度范围为1-3nm；并采用原子层淀积的方法生长。

6.根据权利要求1所述的一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：所述步骤（d）所述的复合介质材料层（7）为二氧化硅和氮化硅，厚度范围为50-100nm，并采用低压化学气相淀积的方法生长。

7.根据权利要求1所述的一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：所述步骤（e）中的退火温度为600-700℃，退火时间为1min。

8.根据权利要求1所述的一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：所述步骤（f）中所述的源漏电极（8）的电极材料为Ti/Al/Ni/Au或Ti/W/Pt/Au。

9.根据权利要求1所述的一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：所述步骤（g）中的高温退火温度为500-800℃。

10.根据权利要求1所述的一种降低GaN器件漏电流的方法，其特征在于：所述步骤（h）中所述的栅电极（9）的电极材料为Ni/Au。