[发明专利]提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一致性的方法

权利要求书

1.一种提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一致性的方法，其特 征是：具体步骤如下：

一、测量抛光片的初始铜膜厚度，选择抛光垫并用修整器修整，修 整时间为60s；

二、调整FA/O抛光液的流速150—300mL/min、抛光机的工作压力 12kPa-40kPa、抛光头的转速30rpm—120rpm和抛光盘的转速 30pm-120rpm，抛光时间60s-300s，开始抛光；

三、在抛光结束后将抛光片取出，清洗干净，选取多个测试点测量 抛光后的剩余铜膜厚度，用抛光前后的铜膜厚度差换算出抛光速率，考察 速率一致性，铜镀膜去除速率一致性通过片内非均匀性表示，片内非均匀 性越小说明去除速率一致性越好，即抛光后铜膜厚度一致性越好。

2.根据权利要求1所述的提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一 致性的方法，其特征是：所述FA/O抛光液主要由研磨颗粒、FA/O螯合剂、 FA/O表面活性剂、过氧化氢和超纯水组成；研磨颗粒含量为重量百分比1 —30％，FA/O螯合剂的含量为重量百分比1—10％，FA/O表面活性剂的含量 为重量百分比0.01—5％，氧化剂的含量为重量百分比0.01—3％，用水补 足含量至重量百分比100％，其pH值为9—12。

3.根据权利要求2所述的提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一 致性的方法，其特征是：所述的研磨颗粒为粒径20—100nm的二氧化硅水 溶胶。

4.根据权利要求2所述的提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一 致性的方法，其特征是：所述超纯水的电阻率为18.1MΩ.cm。

5.根据权利要求1所述的提高GLSI硅通孔碱性CMP中铜膜厚度一 致性的方法，其特征是：所述修整器为金刚石修整器。