[发明专利]发光装置有效
| 申请号： | 201510988691.5 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105742458B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郭家泰;谢明勋;赖隆宽;郑惟纲;刘建良;任益华;陈守龙;柯淙凯;蒲计志 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置，包含：
发光二极管，包含：
活性层；以及
电极垫，电连接该活性层且具有第一侧面；
金属凸块，形成在该电极垫上且具有第二侧面；
反射绝缘层，环绕该发光二极管与该金属凸块，且直接覆盖该第二侧面而无覆盖该第一侧面，并与该发光二极管之间有大于零的距离；以及
波长转换层，形成于该反射绝缘层与该发光二极管之间以及该发光二极管上，
其中，该第二侧面包含曲面。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该第一侧面与该第二侧面不共平面。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中，该波长转换层具有上表面及下表面，该波长转换层中的粒子浓度自该上表面至该下表面逐渐减少。
4.如权利要求1所述的发光装置，还包含多个刮痕形成在该金属凸块上。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光二极管包含半导体层，该半导体层具有侧面被该反射绝缘层所遮盖。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光二极管包含基板，该基板具有侧面被该波长转换层所覆盖。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中，该反射绝缘层具有下表面，多个刮痕形成在该下表面上。
8.如权利要求1所述的发光装置，其中，该金属凸块是形成以向外延伸超出于该反射绝缘层的表面。
9.如权利要求1所述的发光装置，其中，该金属凸块直接覆盖该第一侧面。
10.如权利要求1所述的发光装置，其中，该发光二极管包含绝缘层形成于该活性层上且具有侧面被该波长转换层所覆盖。
11.如权利要求1所述的发光装置，其中，该反射绝缘层与该金属凸块分别具有下表面，该些下表面实质彼此共平面。
12.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光二极管包含半导体层，该半导体层具有侧面被该波长转换层所覆盖。
13.如权利要求1所述的发光装置，其中，该发光二极管包含绝缘层，该反射绝缘层覆盖该绝缘层。
14.如权利要求1所述的发光装置，其中，该波长转换层具有侧面被该反射绝缘层所覆盖。
15.如权利要求14所述的发光装置，其中，该波长转换层和该反射绝缘层分别具有上表面，该些上表面实质彼此共平面。
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