[发明专利]一种框架外露的夹芯封装工艺方法

权利要求书

1.一种框架外露的夹芯封装工艺方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：步骤一、提供第一引线框；

步骤二、在第一引线框基岛区域通过网板印刷的方式涂覆锡膏；

步骤三、在步骤二中第一引线框涂覆锡膏的区域上植入芯片；

步骤四、提供第二引线框，所述第二引线框为Z形，所述Z形的第二引线框包括上水平段、中间连接段和下水平段；

步骤五、在第二引线框上水平段的下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏；

步骤六、将第二引线框的上水平段压合在第一引线框上表面的芯片上，压合后第一引线框和第二引线框形成整体框架，第一引线框下表面与第二引线框下水平段下表面齐平；

步骤七、将步骤六形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊；

步骤八、将步骤七经过回流焊后的整体框架采用塑封料进行塑封，塑封后第二引线框的上水平段的上表面暴露在塑封料之外；

步骤九、将步骤八完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业，使原本阵列式塑封体，切割或是冲切独立开来，制得框架外露的夹芯封装结构。

2.根据权利要求1所述的一种框架外露的夹芯封装工艺方法，其特征在于：所述第一引线框和第二引线框的材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10^-6/℃~25*10^-6/℃的导电材质。

3.根据权利要求1所述的一种框架外露的夹芯封装工艺方法，其特征在于：所述芯片为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。

4.根据权利要求1所述的一种框架外露的夹芯封装工艺方法，其特征在于：所述压板材质的热膨胀系数CTE与第一引线框、第二引线框和第三引线框材质的热膨胀系数CTE接近，其CTE范围是8*10^-6/℃~25*10^-6/℃。

5.根据权利要求1所述的一种框架外露的夹芯封装工艺方法，其特征在于：所述步骤五与步骤二可同时进行。