[发明专利]一种稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置及方法

权利要求书

1.一种稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置，其特征在于主体结构包括上盖、 螺纹、外壁和内壁；采用铂金材料制成的外壁为圆柱形，外壁的高度为其半径的2.5倍，厚度 为其半径的0.1倍；外壁与内壁为一体结构，内壁的底部为半球体结构；外壁的顶部设有螺 纹，上盖通过螺纹拧在外壁上密封整个装置。

2.一种采用如权利要求1所述稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置生长晶体的 方法，其特征在于具体过程为：

(1)、将氧化铅和氟化铅按照摩尔比为15:85的比例进行称量并均匀混合后压制成圆柱 形块状结构得到助熔剂；

(2)、将YbPO4和YPO4按照摩尔比为5:95的比例进行称量并均匀混合得到混合物；

(3)、将步骤(1)得到的助熔剂和步骤(2)得到的混合物按照重量比为10:1的比例进行 称量后将混合物放置于内壁的底部并压实，在混合物上面放置助熔剂；

(4)、将上盖拧盖在外壁上密封后将生长装置放置于加热炉内；

(5)、调节加热炉的温度，先从室温以不高于300℃/h的速率升温至800℃保温5-20小 时，再以3-8℃/h的速率降温至750℃，然后依次以0.5-1.5℃/h的速率降温至700℃、以1.5- 2.5℃/h的速率降温至600℃、以2.5-5℃/h的速率降温至500℃，最后以5-10℃/h的速率降 至室温，生长过程结束，将晶体取出即可。