[发明专利]芯片错料检测装置及检测方法、芯片烧录方法及烧录系统

权利要求书

1.一种芯片的错料检测方法，用于检测放料至料座内的所述芯片，所述 芯片具有内部电连接的至少两个同位接地引脚，所述料座具有与所述芯片引 脚对应的接触点，在其特征在于，所述错料检测方法包括步骤：

S10选择所述料座中同位接地接触点中的一个作为参考接触点,并向其提 供参考高电平；

S20选择所述料座中同位接地接触点中的一个作为检测接触点；

S30在取料前/取料后和/或放料前/放料后，分别解锁/锁合所述料座，使 所述料座的接触点与所述芯片对应的引脚对应产生断路/电连接；

S40获取所述检测接触点的检测电平变化情况；以及，

S50根据获取的检测电平变化情况与放料正确时的标准电平变化情况比 较，检测是否发生错料。

2.如权利要求1所述一种芯片的错料检测方法，其特征在于，所述步骤 S20包括：

S21选择步骤S10中所述的参考接触点作为检测接触点；以及，

S22将所述料座中同位接地接触点中与所述的检测接触点不同的另一个 接地接触点与接地线电连接。

3.如权利要求2所述一种芯片的错料检测方法，其特征在于，所述步骤 S40包括：

S41获取取料后所述检测接触点的检测电平变化情况；

所述步骤S50包括：

S51当取料后料座锁合时，检测电平维持高电平未变化，为未检测到发生 叠料；或

S52当取料后料座锁合时，检测电平由高电平变化为低电平，为检测到发 生叠料。

4.如权利要求2所述一种芯片的错料检测方法，其特征在于，所述步骤 S40包括：

S42获取放料后所述检测接触点的检测电平变化情况；

所述步骤S50包括：

S53当放料后料座锁合时，检测电平由高电平变化为低电平，为未检测到 发生漏料；或

S54当放料后料座锁合时，检测电平维持高电平未变化，为检测到发生漏 料。

5.如权利要求1所述一种芯片的错料检测方法，其特征在于，所述步骤 S20包括：

S23选择步骤S10中所述的参考接触点不同的另一个作为检测接触点；以 及，

S24保持所述料座中同位接地接触点中与所述的参考接触点及检测接触 点不同的其余接地接触点与接地线断路。

6.如权利要求5所述一种芯片的错料检测方法，其特征在于，所述步骤 S40包括：

S43获取取料后所述检测接触点的检测电平变化情况；

所述步骤S50包括：

S55当取料后料座锁合时，检测电平维持低电平未变化，为未检测到发生 叠料；或

S56当取料后料座锁合时，检测电平由低电平变化为高电平，为检测到发 生叠料。

7.如权利要求5所述一种芯片的错料检测方法，其特征在于，所述步骤 S40包括：

S44获取放料后所述检测接触点的检测电平变化情况；

所述步骤S50包括：

S57当放料后料座锁合时，检测电平由低电平变化为高电平，为未检测到 发生漏料；或

S58当放料后料座锁合时，检测电平维持低电平未变化，为检测到发生漏 料。

8.一种芯片的烧录方法，所述芯片设于芯片烧录器上的料座内进行数据 烧录，所述芯片具有内部电连接的至少两个同位接地引脚，所述料座具有与 所述芯片引脚对应的接触点，其特征在于，包括如权利要求2-4其中之一所 述的错料检测方法，所述芯片烧录方法还包括以下步骤：

S60当监测到出现错料时，停止所述芯片的烧录和/或发出警报；以及，

S70确认未出现错料时，在放料后料座锁合时进行芯片数据烧录，并在放 料后料座锁合时进行芯片数据烧录。