[发明专利]碱性铜粗抛液提高GLSI多层铜布线铜膜粗抛一致性的应用在审
| 申请号： | 201510990523.X | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105598826A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;王月霞;牛新环 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;C09G1/02 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碱性 铜粗抛液 提高 glsi 多层 布线 铜膜粗抛 一致性 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种碱性铜粗抛液提高GLSI多层铜布线铜膜粗抛一致性的应用，主要由SiO2水溶胶 磨料、FA/OⅠ型表面活性剂、FA/OⅡ型螯合剂和双氧水组成碱性铜粗抛液，其特征是：所述碱 性铜粗抛液的FA/OⅠ型表面活性剂在GLSI多层铜布线CMP铜膜的高速率下提高粗抛高一致 性的应用。
2.根据权利要求1所述的碱性铜粗抛液提高GLSI多层铜布线铜膜粗抛一致性的应用， 其特征是：所述碱性铜粗抛液pH>7。
3.根据权利要求1或2所述的碱性铜粗抛液提高GLSI多层铜布线铜膜粗抛一致性的应 用，其特征是：所述碱性铜粗抛液主要组分按重量％计，
质量浓度2-60wt％以及粒径60-150nm的纳米SiO2水溶胶磨料0.5-50％
FA/OⅠ型非离子表面活性剂0.1-10％
FA/OⅡ型螯合剂0.5-5％
双氧水0.1-5％。
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