[发明专利]石墨热场表面制备SiC/Si/Si3N4涂层的方法

权利要求书

1.一种石墨热场表面制备SiC/Si/Si₃N₄复合涂层的方法，其特征在于包括下述顺序的步骤：

（1）以石墨发热体加热炉体作为沉积炉，将其抽真空，真空度达到100Pa以下；

（2）将石墨发热体加热炉内温度升高至900～1200℃，升温速率为8～12℃/min；

（3）以四氯化硅作为硅源，通过四氯化硅溶液挥发出的四氯化硅气体带入石墨发热体加热炉腔内，气体流量根据炉体尺寸调节，流量为10～60ml/min，同时以氢气为反应气，流量为100～1000ml/min，氩气作为稀释气体，流量为100～1000ml/min，保持加热炉腔内压力为1×10²～10⁵Pa，沉积10～30h;

（4）将石墨发热体加热炉内温度升高至1250-1600℃，升温速率为1～5℃/min；

（5）向炉内通入氮气，流量为100～1000ml/min，保温5-10h，冷却降温后，石墨热场材料表面出现SiC/Si/Si₃N₄复合涂层。

2.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于石墨发热体加热炉可为熔炼多晶硅、石英玻璃的加热炉，提炼单晶硅、单晶锗、砷化镓、磷化铟材料的加热炉。

3.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于碳素材料部件包括石墨坩埚、石墨热场材料、炭素保温材料。

4.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于反应气体选择纯度为99.999％以上的高纯氢气。

5.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于稀释气体选择纯度为99.999％以上的高纯氩气。

6.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于氮气选择纯度为99.999％以上的高纯氮气。