[发明专利]具桥接结构的半导体封装构造及其制造方法

说明书

本申请是申请日为2013年5月8日，申请号为“201310166686.7”，而发 明名称为“具桥接结构的半导体封装构造及其制造方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装构造，特别是有关于一种具桥接结构的半导体 封装构造及其制造方法。

背景技术

半导体封装产业发展出各种不同型式的封装构造，例如将多个芯片整合于 单一封装模组内。当欲将多个芯片(例如逻辑芯片跟储存芯片)整合设置在一封 装基板上时，通常必须先设置一中介层(interposer)于所述基板上，接着再将所 述芯片设置于所述中介层上，通过中介层上下表面进行线路重新布局，完成芯 片与基板之间的电性连接。

然而，现有的半导体封装构造通常都是将数个芯片共同配置于单一中介层 上，当主要芯片(例如逻辑芯片)先行设置于所述中介层上时，中介层会因为主 要芯片设置的关系受到应力作用而在侧边产生翘曲现象，使得中介层的表面呈 现非平面，如此一来，后续设置其他芯片(例如储存芯片)时，将会因为中介层 表面翘曲度过大的关系而导致后续设置的芯片结合于中介层上的结合良率下 降。

再者，若将多个芯片个别配置于多个中介层上，以期达成降低翘曲度或降 低成本的结构时,配置于其中一中介层上的芯片通常必须先通过所述中介层的 穿硅导通孔，再通过所述中介层底下的基板的布局线路，最后再从基板再次通 过另个中介层的穿硅导通孔，才能将讯号迂回的传递给设置于所述另个中介层 上的其他芯片。由于基板的线路密度较低，通过基板进行芯片之间的讯号传递 路径不但因过长而相对限制半导体封装构造的电性特性，同时也会占用基板可 供配置线路的有限面积。

故，有必要提供一种具桥接结构的半导体封装构造及其制造方法，以解决 现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种具桥接结构的半导体封装构造，其使用相 邻的两个半导体连接件取代单一中介层可强化结构，避免翘曲，还可提升电性 特性。

为达成前述目的，本发明一实施例提供一种具桥接结构的半导体封装构 造，所述半导体封装构造包含一基板；一第一半导体连接件具有多个第一穿硅 导通孔，电性连接所述基板；至少一第二半导体连接件具有多个第二穿硅导通 孔，电性连接所述基板且间隔设于所述第一半导体连接件旁；以及一第一芯片， 桥接所述第一半导体连接件与第二半导体连接件，使得所述第一半导体连接件 通过所述第一芯片的一有源电路层电性连接所述第二半导体连接件。

再者，本发明另一实施例提供一种具桥接结构的半导体封装构造的制造方 法，其包含步骤：间隔设置至少一第一半导体连接件与至少一第二半导体连接 件于一基板上；设置一第一芯片，使所述第一芯片的一部分接垫电性连接所述 第一半导体连接件上且另一部分接垫电性连接所述第二半导体连接件，使得所 述第一半导体连接件通过所述第一芯片的一有源电路层电性连接所述第二半 导体连接件；以及设置一第二芯片于所述第二半导体连接件上，使得所述第二 芯片的一有源电路层通过所述第二半导体连接件电性连接所述第一芯片的有 源电路层，再进而通过所述第一芯片的有源电路层电性连接所述第一半导体连 接件。

本发明的具桥接结构的半导体封装构造通过至少两间隔相邻的半导体连 接件取代传统单一的硅中介层，可减少封装构造的翘曲问题，所述半导体连接 件可配合芯片的有源电路布线，达到芯片之间更高的讯号传输的线路密度，因 此有助于提升半导体封装构造的电性特性。

附图说明

图1是本发明一实施例的具桥接结构的半导体封装构造的结构示意图。

图2是本发明另一实施例的具桥接结构的半导体封装构造的结构示意图。

图3是本发明又一实施例的具桥接结构的半导体封装构造的结构示意图。

图4是本发明又一实施例的具桥接结构的半导体封装构造的结构示意图。

图5是本发明又一实施例的具桥接结构的半导体封装构造的结构示意图。

图6A～6C是本发明一实施例的具桥接结构的半导体封装构造的制造流程 示意图。

图6AA是图6A一实施例的具桥接结构的半导体封装构造的局部放大示意 图。

图7是本发明一实施例的具桥接结构的半导体封装构造的俯视示意图。