[发明专利]一种框架外露多芯片多搭平铺夹芯封装结构及其工艺方法

权利要求书

1.一种框架外露多芯片多搭平铺夹芯封装结构，其特征在于：它包括第一引线框（21）、两个第二引线框（22）、第一芯片（23）和第二芯片（26），所述第二引线框（22）呈Z形，所述Z形的第二引线框（22）包括第一上水平段（221）、第一中间连接段（222）和第一下水平段（223），所述第一芯片（23）和第二芯片（26）分别夹设在第一引线框（21）与两个第二引线框（22）的第一上水平段（221）之间，所述第一芯片（23）的正面和背面以及第二芯片（26）的正面和背面分别通过锡膏（24）与其相应的第二引线框（22）的第一上水平段（221）和第一引线框（21）电性连接，所述第一引线框（21）和两个第二引线框（22）外包封有塑封料（27），所述两个第二引线框（22）的第一上水平段（221）上表面齐平，所述第一引线框（21）下表面和两个第二引线框（22）的第一上水平段（221）上表面均暴露于塑封料（27）之外，所述两个第二引线框（22）的第一下水平段（223）下表面分别搭设在第一引线框（21）上表面上。

2.根据权利要求1所述的一种框架外露多芯片多搭平铺夹芯封装结构，其特征在于：所述第一引线框（21）和第二引线框（22）均为整体框架。

3.一种框架外露多芯片多搭平铺夹芯封装结构的工艺方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

步骤一、提供第一引线框；

步骤二、在第一引线框基岛区域通过网板印刷的方式涂覆锡膏；

步骤三，在步骤二中第一引线框基岛区域涂覆的锡膏上植入第一芯片和第二芯片；

步骤四，提供第二引线框，所述第二引线框包括第一上水平段、第一中间连接段、第一下水平段、第二上水平段、第二中间连接段和第二下水平段，在第二引线框的第一上水平段下表面、第一下水平段下表面、第二上水平段下表面和第二下水平段下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏；

步骤五，将第二引线框的第一上水平段和第二上水平段分别压合在第一引线框上表面的第一芯片和第二芯片上，且第二引线框的第一下水平段下表面和第二下水平段下表面分别搭设在第一引线框上表面上，压合后第一引线框和第二引线框形成整体框架；

步骤六，将步骤五形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊；

步骤七，将步骤六经过回流焊后的整体框架采用塑封料进行塑封，塑封后第二引线框的第一上水平段上表面和第二上水平段上表面均暴露在塑封料之外；步骤八，将步骤七完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业，使原本阵列式塑封体，切割或是冲切独立开来，制得框架外露多芯片多搭平铺夹芯封装结构。

4.根据权利要求3所述的一种框架外露多芯片多搭平铺夹芯封装结构的工艺方法，其特征在于：所述第一引线框和第二引线框均为整体框架，其材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10^-6/℃~25*10^-6/℃的导电材质。

5.根据权利要求3所述的一种框架外露多芯片多搭平铺夹芯封装结构的工艺方法，其特征在于：所述第一芯片和第二芯片为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。

6.根据权利要求3所述的一种框架外露多芯片多搭平铺夹芯封装结构的工艺方法，其特征在于：所述压板材质的热膨胀系数CTE与第一引线框、第二引线框材质的热膨胀系数CTE接近，其CTE范围是8*10^-6/℃~25*10^-6/℃。

7.根据权利要求3所述的一种框架外露多芯片多搭平铺夹芯封装结构的工艺方法，其特征在于：所述步骤二和步骤四可通过不同机台同时进行。