[发明专利]利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法

权利要求书

1.一种利用片状REBCO单晶生长REBCO准单晶的方法，包括如下工序：

a)制备RE123相的粉末；

b)使用片状REBCO晶体作为籽晶，按RE123+(0.3～1.5)wt％CeO₂的配比制备嵌入式籽晶的前驱体；

c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长准单晶；

其特征在于，

所述片状REBCO晶体是通过沿a-b面解离REBCO单晶而获得；所述片状REBCO晶体沿c轴方向的厚度为0.05mm～2mm，沿a-b面的尺寸为2mm×2mm～10mm×10mm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工序a)包括：

按照RE:Ba:Cu＝1:2:3的摩尔比例将RE₂O₃、BaCO₃和CuO粉末混合，得到RE123相的前驱粉末；

将所述RE123相的前驱粉末研磨后，在空气中900℃烧结48小时并重复3次此研磨、烧结过程。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工序b)中的前驱体为工序a)获得的RE123相粉末按RE123+(0.3～1.5)wt％CeO₂的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；所述嵌入式籽晶是指在压制过程中，将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入所述前驱体的中央区域的内部。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，待解离的所述REBCO单晶是通过顶部籽晶溶液法生长制得。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工序b)中，所述前驱体的直径为15～30mm，所述前驱体的高度为5～20mm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工序c)的熔融织构生长包括以下步骤：使生长炉内的温度在第一时间内升至第一温度；保温2～5小时；使生长炉内的温度在第二时间内降至第二温度；使生长炉内的温度在第三时间内降至第三温度；最后淬火，获得所述REBCO准单晶。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，第一时间为3～10小时，第一温度高于REBCO准单晶的包晶反应温度30～80℃；第二时间为15～30分钟，第二温度为所述包晶反应温度；第三时间为10～50小时，第三温度为低于所述包晶反应温度5～20℃。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述淬火为：将所述REBCO准单晶随炉冷却。

9.根据权利要求1所述的生长REBCO高温超导块材的方法，其特征在于：REBCO准单晶为YBCO准单晶、GdBCO准单晶、SmBCO准单晶或NdBCO准单晶。

10.根据权利要求1所述的生长REBCO高温超导块材的方法，其特征在于：所述片状REBCO单晶为片状YBCO单晶、片状SmBCO单晶或片状NdBCO单晶。