[发明专利]功率模块及其制造方法

权利要求书

1.一种功率模块，包括：

承载基板；

内连线层，位于该承载基板上；

第一芯片以及第二芯片，位于该内连线层上，其中该第一芯片与该第二芯片与该内连线层电连接；

陶瓷接合板，位于该内连线层上且设置于该第一芯片与该第二芯片之间，以使该第一芯片与该第二芯片隔离开来；

顶部内连线层，位于该陶瓷接合板上且覆盖该第一芯片与该第二芯片，该顶部内连线层与该第一芯片以及该第二芯片电连接；

导线架，位于该顶部内连线层上且与该顶部内连线层电连接；

模封材料层，位于该导线架上。

2.如权利要求1所述的功率模块，还包括导电结构，贯穿该陶瓷接合板，其中该导电结构分别电连接该内连线层以及该顶部内连线层。

3.如权利要求1所述的功率模块，其中：

该第一芯片与该陶瓷接合板之间以及该第二芯片与该陶瓷接合板之间分别具有一间隙，且该顶部内连线层包括一绝缘层以及位于该绝缘层内的一导线结构，该绝缘层填入该些间隙内。

4.如权利要求1所述的功率模块，其中该内连线层包括绝缘层以及位于该绝缘层内的导线结构，该导线结构自该第一芯片与该第二芯片所在之处延伸至未与该第一芯片以及该第二芯片重叠之处，以使该内连线层作为一重分配层。

5.如权利要求1所述的功率模块，还包括：

底部内连线层，位于该承载基板上；

第一底部芯片以及第二底部芯片，位于该底部内连线层上，其中该第一底部芯片与该第二底部芯片与该底部内连线层电连接；以及

底部陶瓷接合板，位于该底部内连线层上且设置于该第一底部芯片与该第二底部芯片之间以使该第一底部芯片与该第二底部芯片隔离开来，其中

该内连线层，位于该底部陶瓷接合板、该第一底部芯片以及该第二底部芯片上。

6.如权利要求5所述的功率模块，其中该承载基板为一金属基基板，且该金属基基板包括金属核心层以及绝缘介电层。

7.如权利要求5所述的功率模块，还包括导电结构，贯穿该底部陶瓷接合板，其中该导电结构分别电连接该底部内连线层以及该内连线层。

8.如权利要求5所述的功率模块，其中：

该第一底部芯片与该底部陶瓷接合板之间以及该第二底部芯片与该底部陶瓷接合板之间分别具有一间隙，且

该内连线层包括一绝缘层以及位于该绝缘层内的一导线结构，该绝缘层填入该些间隙内。

9.如权利要求1所述的功率模块，还包括一散热金属层，位于该承载基板的一底表面上。

10.一种功率模块的制造方法，包括：

在一承载基板上形成一内连线层；

在该内连线层上设置一第一芯片以及一第二芯片，其中该第一芯片与该第二芯片与该内连线层电连接；

在该内连线层上形成一陶瓷接合板，其中该陶瓷接合板设置于该第一芯片与该第二芯片之间以使该第一芯片与该第二芯片隔离开来；

在该陶瓷接合板上形成一顶部内连线层，并覆盖该第一芯片与该第二芯片，其中该顶部内连线层与该第一芯片以及该第二芯片电连接；

在该顶部内连线层上形成一导线架，该导线架与该顶部内连线层电连接；以及

在该导线架上形成一模封材料作为一模封材料层，并对该模封材料进行模封裁切以形成该功率模块。

11.如权利要求10所述的功率模块的制造方法，其中在该内连线层上设置该第一芯片以及该第二芯片之后，再于该内连线层上形成该陶瓷接合板。

12.如权利要求10所述的功率模块的制造方法，其中于该内连线层上形成该陶瓷接合板之后，再于该内连线层上设置该第一芯片以及该第二芯片。