[发明专利]双模切换式LDO电路

权利要求书

1.一种双模切换式LDO电路，其特征在于,包括：第一LDO主体电路、第二LDO主体电路和动态负载电路；

所述第一LDO主体电路的驱动电流大于所述第二LDO主体电路的驱动电流，所述第一LDO主体电路用于在大驱动模式下提供LDO输出电压；所述第二LDO主体电路的功耗小于所述第一LDO主体电路的功耗，所述第二LDO主体电路用于在低功耗模式下提供所述LDO输出电压；

所述第一LDO主体电路包括第一PMOS管、第一差分放大器和第一串联电阻；所述第一差分放大器的第一输入端连接参考电压、第二输入端连接第一反馈电压、输出端连接到所述第一PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极连接电源电压，第一开关连接在所述第一PMOS管的源极和栅极之间；在所述第一PMOS管的漏极和地之间串联有第二开关和所述第一串联电阻，所述第一PMOS管的漏极连接到双模切换式LDO电路的输出端，所述第一PMOS管的漏极在大驱动模式下输出所述LDO输出电压，所述第一串联电阻的对大驱动模式下的所述LDO输出电压分压后得到所述第一反馈电压；

所述第二LDO主体电路包括第二差分放大器、第二PMOS管和第二串联电阻；所述第二差分放大器的第一输入端连接第二反馈电压、第二输入端连接参考电压、输出端连接到所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的源极连接电源电压，所述第二串联电阻连接在所述第二PMOS管的漏极和地之间，所述第二PMOS管的漏极通过第三开关连接到双模切换式LDO电路的输出端，所述第二PMOS管的漏极在低功耗模式下输出所述LDO输出电压，所述第二串联电阻的对低功耗模式下的所述LDO输出电压分压后得到所述第二反馈电压；

所述第二差分放大器包括两个互为镜像的第一有源负载和第二有源负载，所述第二差分放大器还包括尾电流；

所述动态负载电路包括电流比较器和电流泄放通路；

所述电流比较器对所述尾电流的镜像电流和所述第一有源负载的镜像电流进行比较；

所述电流泄放通路连接在所述第二PMOS管的漏极和地之间，所述电流比较器的输出端控制所述电流泄放通路的通断；

当所述第一开关断开、所述第二开关闭合和所述第三开关断开时，所述双模切换式LDO电路工作于大驱动模式；当所述第一开关闭合、所述第二开关断开和所述第三开关闭合时，所述双模切换式LDO电路工作于低功耗模式；

在所述双模切换式LDO电路由大驱动模式切换到低功耗模式过程中，当所述第一PMOS管的漏极漏电影响所述第二LDO主体电路的环路并使所述第二PMOS管的漏极电压升高时，所述第二反馈电压增加，所述第一有源负载的电流跟随所述第二反馈电压变化而使所述电流比较器输出一控制信号使所述电流泄放通路导通，通过所述电流泄放电路导通使所述第二PMOS管的漏极电压降低从而消除所述第一PMOS管的漏极漏电影响；消除所述第一PMOS管的漏极漏电影响后，所述第二PMOS管的漏极电压降低并保持稳定，经过所述第二反馈电压、所述第一有源负载到所述电流比较器的反馈回路后所述电流比较器输出一控制信号使所述电流泄放通路断开。

2.如权利要求1所述的双模切换式LDO电路，其特征在于：所述第二差分放大器包括由第一NMOS管和第二NMOS管组成的差分放大器主体电路，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极连接在一起并连接所述尾电流；

所述第一NMOS管的栅极为第一输入端，所述第二NMOS管的栅极为第二输入端；

所述第一有源负载连接在所述第一NMOS管的漏极和电源电压之间，所述第二有源负载连接在所述第二NMOS管的漏极和电源电压之间；

所述第二NMOS管的漏极为所述第二差分放大器的输出端。

3.如权利要求2所述的双模切换式LDO电路，其特征在于：所述尾电流由第三NMOS管和第四NMOS管组成的镜像电路提供，所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极都接地，所述第四NMOS管的漏极连接到所述第一NMOS管的源极；所述第四NMOS管的栅极连接所述第三NMOS管的漏极和栅极，所述第三NMOS管的漏极输入电流源，通过所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的镜像在所述第四NMOS管中形成所述尾电流。