[发明专利]控制GLSI多层铜布线精抛碟形坑延伸的碱性抛光液应用在审
| 申请号： | 201510993361.5 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105619235A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;贾少华;王辰伟 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;C09G1/02 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 控制 glsi 多层 布线 精抛碟形坑 延伸 碱性 抛光 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种控制GLSI多层铜布线精抛碟形坑延伸的碱性抛光液应用，主 要由纳米Si02水溶胶、复合磨料、FA/OI型非离子表面活性剂、FA/OII 型鳌合剂和双氧水组成的碱性抛光液，其特征是：所述FA/OI型非离子 表面活性剂利用优先物理吸附特性，有效控制精抛过程中碟形坑延伸的应 用。
2.根据权利要求1所述的控制GLSI多层铜布线精抛碟形坑延伸的碱 性抛光液应用，其特征是：所述碱性抛光液，主要组成成分，按重量百分 比计，包括粒径15—15Onm的纳米Si02水溶胶1—5％，复合磨料0.1—3％， FA/OI型非离子表面活性剂0.5—10％，FA/OII型鳌合剂0.1—1％，双氧 水1-10％。
3.根据权利要求1所述的控制GLSI多层铜布线精抛碟形坑延伸的碱 性抛光液应用，其特征是：所述复合磨料为A12O3和CeO2中的一种或两种 混合,磨料粒径与纳米Si02水溶胶粒径相同。
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