[发明专利]一种NandFlash的编程方法

权利要求书

1.一种Nand Flash的编程方法，其特征在于，包括：

S101、对编程页施加编程电压，如果达到启动第1状态编程验证的验证条件，则启动第1状态的编程验证并扫描处于第1状态的存储单元；

S102、设置m＝1，其中，m为所述Nand Flash的编程状态序号，1≤m≤M，M＝2ⁿ-1，n为Nand Flash存储单元具有的比特位；

S103、判定m<2ⁿ-1是否成立，若是，则执行步骤S104；若否，则执行步骤S106；

S104、如果第m状态的扫描结果达到启动第m+1状态编程验证的设定值，则设置m＝m+1，启动第m状态的编程验证并扫描处于第m状态的存储单元，之后返回步骤S103；若否，则执行步骤S105；

S105、以设定电压增量值抬升所述当前编程电压，启动第1状态至第m状态的编程验证并扫描处于第m状态的存储单元，之后返回步骤S103；

S106、判定第m状态的编程验证次数是否达到最大验证次数，若是，则执行步骤S107；若否，则返回执行步骤S105；

S107、如果所述编程页中所有编程失败的存储单元总数不大于内部设定值，则结束对所述编程页的编程操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对编程页施加编程电压，包括：

基于Nand Flash中的控制单元通过字线选择单元选取要编程的存储页，记为编程页；

对所述编程页的字线施加初始编程电压，并在设定时间内持续施压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述启动第1状态编程验证的验证条件为对所述编程页施加编程电压的编程次数达到设定验证启动次数；

所述设定验证启动次数设定在1次～128次。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

对编程页施加编程电压，如果所施加编程电压的当前编程次数小于所述预设验证启动次数，则以设定电压增量值抬升所述编程电压，并令当前编程次数自加1。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

如果所述编程页中所有编程失败的存储单元总数超过内部设定值，则强制结束所述编程页的当前编程验证操作，同时声明所有编程失败的存储单元，并对所述编程页重新执行编程操作。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述启动第m状态的编程验证，包括：

启动对所述编程页的读操作，基于读操作查验应该编程到第m状态的存储单元是否已编程到了第m状态。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述扫描所述第m状态的存储单元，包括：

基于所述编程页中存储单元的位线，对应该处于第m状态的存储单元进行扫描，确定编程失败的存储单元个数，并计算第m状态的编程失败率；

记所述第m状态的编程失败率为第m状态的扫描结果。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述启动第m+1状态编程验证的设定值为一个百分比值，所述百分比值基于所述编程页在历史编程操作中第m状态编程失败率的数据规律设定。

9.根据权利要求1-8任一所述的方法，其特征在于，所述最大验证次数以及内部设定值均基于所述编程页在历史编程操作中的数据规律设定。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述设定电压增量值为一固定值。