[发明专利]抗反射膜以及包括该抗反射膜的有机发光装置有效
申请号: | 201510994156.0 | 申请日: | 2015-12-25 |
公开(公告)号: | CN105742319B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 大山毅;镰田晃;李殷成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 以及 包括 有机 发光 装置 | ||
1.一种用于防止外部光的反射的抗反射膜,包括:
偏振器,限定所述抗反射膜的光入射侧并配置为将外部光转变为线偏振光;
第一相位延迟层,所述第一相位延迟层是λ/2相位延迟层;和
第二相位延迟层,所述第二相位延迟层是λ/4相位延迟层,
其中所述第二相位延迟层包括具有第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面的液晶层,并且
其中所述液晶层包括在关于其表面非垂直地倾斜的方向上取向的液晶,
所述第二相位延迟层的所述液晶层的所述液晶的倾斜角从所述第一表面到所述第二表面逐渐增大,
其中所述第一相位延迟层和所述第二相位延迟层的组合用作圆偏振层,并且
其中所述第一相位延迟层和所述第二相位延迟层的组合对于约450nm、约550nm和约650nm波长的平面内延迟满足以下不等式:Re0-450nm≤Re0-550nm≤Re0-650nm,
其中Re0-450nm表示所述第一相位延迟层和所述第二相位延迟层的组合对于约450nm波长的入射光的平面内延迟,
Re0-550nm表示所述第一相位延迟层和所述第二相位延迟层的组合对于约550nm波长的入射光的平面内延迟,以及
Re0-650nm表示所述第一相位延迟层和所述第二相位延迟层的组合对于约650nm波长的入射光的平面内延迟。
2.如权利要求1所述的抗反射膜,其中所述液晶的最大倾斜角在从30度至75度的范围内。
3.如权利要求1所述的抗反射膜,其中所述第一表面附近的所述液晶的倾斜角大于零度并小于或等于5度。
4.如权利要求3所述的抗反射膜,其中所述第二相位延迟层还包括接触所述液晶层的所述第一表面的配向层。
5.如权利要求1所述的抗反射膜,其中所述液晶层对于约450nm、约550nm和约650nm波长的平面内延迟满足以下不等式:0.95≤Re2-450nm/Re2-550nm;并且0.95≤Re2-550nm/Re2-650nm,
其中Re2-450nm表示所述液晶层对于约450nm波长的入射光的平面内延迟,
Re2-550nm表示所述液晶层对于约550nm波长的入射光的平面内延迟,以及
Re2-650nm表示所述液晶层对于约650nm波长的入射光的平面内延迟。
6.如权利要求1所述的抗反射膜,其中所述液晶层的波长色散满足以下不等式:1.0≤Re2-450nm/Re2-550nm≤1.2,
其中Re2-450nm表示所述液晶层对于约450nm波长的入射光的平面内延迟,并且
Re2-550nm表示所述液晶层对于约550nm波长的入射光的平面内延迟。
7.如权利要求1所述的抗反射膜,其中所述第一相位延迟层和所述第二相位延迟层的组合的短波长色散满足以下不等式:0.7≤Re0-450nm/Re0-550nm≤1.0,
其中Re0-450nm表示所述第一相位延迟层和所述第二相位延迟层的组合对于约450nm波长的入射光的平面内延迟,
Re0-550nm表示所述第一相位延迟层和所述第二相位延迟层的组合对于约550nm波长的入射光的平面内延迟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510994156.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种防溅防溢出坐便器
- 下一篇:烟草切丝机刀辊凹槽板清洁铲
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的