[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：半导体基板；和

反熔丝元件，形成于所述半导体基板，

所述半导体基板具有：

基体；

第1半导体区域，形成于所述基体的主面侧，且为第1导电型；

第1绝缘层，形成于所述第1半导体区域上；以及

第1半导体层，形成于所述第1绝缘层上，

所述第1绝缘层的厚度为4至100nm，

所述第1半导体层的厚度为4至100nm，

所述反熔丝元件具有：

第1栅电极，隔着第1栅极绝缘膜形成于所述第1半导体层上；和

第2半导体区域，形成于相对于所述第1栅电极位于第1侧的部分的所述第1半导体层，且为与所述第1导电型相反的第2导电型，

由所述反熔丝元件形成存储元件，

所述第1栅电极与存储器线连接，并且被配置成在所述存储元件的写入动作时，通过所述存储器线接收第1电位，

所述第1半导体区域与偏压线直接连接，并且被配置成在所述存储元件的写入动作时，通过所述偏压线接收与所述第1电位相同极性的第2电位。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在所述存储元件的读出动作时，所述第1半导体区域的电位是接地电位。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1导电型是p型，

所述第2导电型是n型，

所述第1栅电极由n型的第1半导体膜构成，

所述第1电位和所述第2电位均为正电位。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1导电型是p型，

所述第2导电型是n型，

所述第1栅电极由p型的第2半导体膜构成，

所述第1电位和所述第2电位均为负电位。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

具有形成于所述半导体基板的第1场效应晶体管，

所述第1导电型是p型，

所述第2导电型是n型，

所述第1半导体区域形成于所述基体的所述主面侧的第1区域，

所述第1栅电极由被导入了n型的第1杂质的第3半导体膜构成，

所述半导体基板具有：

p型的第3半导体区域，形成于所述基体的所述主面侧的第2区域；

第2绝缘层，形成于所述第3半导体区域上；以及

第2半导体层，形成于所述第2绝缘层上，

所述第1场效应晶体管具有：

第2栅电极，隔着第2栅极绝缘膜形成于所述第2半导体层上；和

n型的第4半导体区域，形成于相对于所述第2栅电极位于第2侧的部分的所述第2半导体层，

所述第2栅电极由被导入了n型的第2杂质的第4半导体膜构成，

所述第1栅电极中的所述第1杂质的浓度比所述第2栅电极中的所述第2杂质的浓度低，

所述第1电位和所述第2电位均为负电位。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1导电型是p型，

所述第2导电型是n型，

所述第1栅电极由被导入了n型的第3杂质的第5半导体膜构成，

与所述第1栅极绝缘膜接触的部分的所述第1栅电极中的所述第3杂质的浓度比所述第1栅电极的上层部中的所述第3杂质的浓度低，

所述第1电位和所述第2电位均为负电位。