[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造金属接线的方法

权利要求书

1.一种蚀刻剂组合物，包含：

10重量％至20重量％的过硫酸盐；

0.1重量％至10重量％的磷酸H₃PO₄或亚磷酸H₃PO₃；

0.1重量％至2重量％的基于氮的环状化合物；

0.1重量％至5重量％的磺酸化合物；

0.1重量％至2重量％的铜腐蚀抑制剂；

0.1重量％至2重量％的氟化合物；和

使所有成份的总重量为100重量％的余量水，

其中，所述基于氮的环状化合物为基于3个氮的环状化合物，且

其中，所述基于3个氮的环状化合物包括选自由以下组成的组中的至少一种：1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑和3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇。

2.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中：

所述磷酸或所述亚磷酸与所述基于氮的环状化合物的重量比为6:1至1:1。

3.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中：

所述基于氮的环状化合物与所述铜腐蚀抑制剂的重量比为1:6至1:1。

4.如权利要求2所述的蚀刻剂组合物，其中：

所述过硫酸盐包括选自由以下组成的组中的至少一种：过硫酸钾K₂S₂O₈、过硫酸钠Na₂S₂O₈和过硫酸铵(NH₄)₂S₂O₈。

5.如权利要求2所述的蚀刻剂组合物，其中：

所述磺酸化合物包括选自由以下组成的组中的至少一种：甲磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、磺酸铵、氨基磺酸、环状磺酸化合物和基于烃的磺酸化合物。

6.如权利要求2所述的蚀刻剂组合物，其中：

所述铜腐蚀抑制剂包括选自由以下组成的组中的至少一种：氨基四唑、苯并三唑、咪唑和吡唑。

7.如权利要求2所述的蚀刻剂组合物，其中：

所述氟化合物包括选自由以下组成的组中的至少一种：氟化镁MgF₂、六氟硅酸H₂SiF₆、氟化钠NaF、氟化氢钠NaHF₂、氟化铵NH₄F、氟化氢铵NH₄HF₂、四氟硼酸铵NH₄BF₄、氟化钾KF、氟化氢钾KHF₂、氟化铝AlF₃和氢氟钛酸H₂TiF₆。

8.如权利要求1至7中任一项所述的蚀刻剂组合物，其中：

所述蚀刻剂组合物蚀刻由铜和钛构成的多层。

9.一种用于制造金属接线的方法，其包括：

堆叠包括铜和钛的金属膜；

使光敏膜图案形成在所述金属膜上并使用所述光敏膜图案作为掩模蚀刻所述金属膜的一部分；和

去除所述光敏膜图案，

其中在所述金属膜包含根据权利要求1至7中任一项所述的蚀刻剂组合物。

10.如权利要求9所述的方法，其中：

所述金属膜包括含钛的第一金属膜和布置在所述第一金属膜上且含铜的第二金属膜。