[发明专利]一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法有效
| 申请号： | 201510995271.X | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105489367B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 吕向科;王春国;张民;丁勇;杨庆忠;胡依群;汪江峰 | 申请（专利权）人： | 宁波韵升股份有限公司;宁波韵升磁体元件技术有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;C21D3/06;C21D1/00;C23C12/02 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315040 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 烧结 钕铁硼 磁体 磁性 方法 | ||
1.一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于首先将包含R、H和X元素的原料包覆在烧结钕铁硼磁体的表面形成包覆层，然后在真空或惰性气体环境下对具有包覆层的烧结钕铁硼磁体进行扩散处理和时效处理；其中R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu元素中的至少一种，H为氢元素，X为C、O、N、S、B、Cl、Si元素中的至少一种；
所述的包含R、H和X元素的原料中，所述的H元素的含量按质量百分比为0.01％-2％。
2.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的包含R、H和X元素的原料中，所述的X元素的含量按质量百分比为0.01％-10％。
3.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的包含R、H和X元素的原料中还包含有能与所述的R元素发生化学反应形成合金或金属间化合物的其他元素。
4.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的原料中含有的R、H和X元素通过R、H和X元素三者混合发生化学反应后得到的产物存在于所述的原料中。
5.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的原料中含有的R、H和X元素通过X元素与R元素的氢化物发生化学反应后得到的产物存在于所述的原料中。
6.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的R元素为Pr、Nd、Gd、Dy、Tb和Ho元素中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的烧结钕铁硼磁体的厚度小于15mm。
8.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的具有包覆层的烧结钕铁硼磁体在进行扩散处理前，先进行脱氢处理，所述的脱氢处理的温度为200℃-900℃，保温时间为0.1h-30h。
9.根据权利要求8所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的具有包覆层的烧结钕铁硼磁体在进行脱氢处理后，其包覆层中氢元素的质量百分比含量为0.001％-0.2％。
10.根据权利要求8所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的脱氢处理的温度为600℃-800℃。
11.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的扩散处理为在温度700℃-1000℃条件下保温1h-30h。
12.根据权利要求1所述的一种提高烧结钕铁硼磁体磁性能的方法，其特征在于所述的时效处理为在温度400℃-600℃条件下保温1h-10h。
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