[发明专利]一种片式熔断器制造方法

权利要求书

1.一种片式熔断器制造方法，其特征是，包括如下步骤：

S1、将网板放在薄膜陶瓷基片上，在所述网板上印刷电极浆料，所述电极浆料穿过所述网板的电极图案孔附着在所述薄膜陶瓷基片上；

S2、使所述薄膜陶瓷基片上的电极浆料固化成熔断电极；

S3、将网板与所述薄膜陶瓷基片分离，得到陶瓷生坯片；

S4、将多个陶瓷生坯片进行层叠形成陶瓷生坯，对所述陶瓷生坯进行烧结。

2.如权利要求1所述的片式熔断器制造方法，其特征是，

所述电极浆料包含了光固化树脂；

所述步骤S2还包括如下步骤：

利用紫外光对所述薄膜陶瓷基片上的电极浆料进行照射定型。

3.如权利要求2所述的片式熔断器制造方法，其特征是，

在所述步骤S2中，通过激光烧结使所述薄膜陶瓷基片上的电极浆料固化成熔断电极。

4.如权利要求1所述的片式熔断器制造方法，其特征是，

所述薄膜陶瓷基片通过如下步骤制作：

S11、将SiO₂和锌硼硅玻璃的粉末进行混合，得到粉末混合物；

S12、将所述粉末混合物与乙醇及乙酸乙酯溶液搅拌混合得到陶瓷浆料；

S13、将所述陶瓷浆料流延得到所述薄膜陶瓷基片。

5.如权利要求4所述的片式熔断器制造方法，其特征是，

所述粉末混合物中，所述SiO₂与锌硼硅玻璃的质量百分比为3:7。

6.如权利要求4所述的片式熔断器制造方法，其特征是，

在步骤S12中，加入有机粘合剂：聚乙烯醇缩丁醛和分散剂：油酸。

7.如权利要求1所述的片式熔断器制造方法，其特征是，所述粉末混合物中D50粒径为1.0um，D95粒径为2.0um。

8.如权利要求1所述的片式熔断器制造方法，其特征是，

所述薄膜陶瓷基片为微晶玻璃陶瓷。

9.一种片式熔断器，其特征是，采用如权利要求1至8任一所述的方法制造而成。