[发明专利]一种框架外露多芯片单搭堆叠夹芯封装结构及其工艺方法

权利要求书

1.一种框架外露多芯片单搭堆叠夹芯封装结构，其特征在于：它包括第一引线框（21）、第二引线框（22）、第三引线框（23）、第一芯片（24）和第二芯片（25），所述第二引线框（22）和第三引线框（23）呈Z形，所述Z形的第二引线框（22）包括第一上水平段（221）、第一中间连接段（222）和第一下水平段（223），所述Z形的第三引线框（23）包括第二上水平段（231）、第二中间连接段（232）和第二下水平段（233），所述第一芯片（24）夹设在第一引线框（21）与第一上水平段（221）之间，所述第一芯片（24）的正面和背面分别通过锡膏（26）与第一上水平段（221）和第一引线框（21）电性连接，所述第二芯片（25）夹设在第一上水平段（221）与第二上水平段（231）之间，所述第二芯片（25）的正面和背面分别通过锡膏（26）与第二上水平段（231）和第一上水平段（221）电性连接，所述第一引线框（21）、第二引线框（22）和第三引线框（23）外包封有塑封料（27），所述第一引线框（21）下表面和第一下水平段（223）下表面齐平，所述第一引线框（21）下表面、第一下水平段（223）下表面以及第二上水平段（231）上表面均暴露于塑封料（27）之外，所述第二下水平段（233）下表面搭设在第一引线框（21）上表面上。

2.根据权利要求1所述的一种框架外露多芯片单搭堆叠夹芯封装结构，其特征在于：所述第一引线框（21）、第二引线框（22）和第三引线框（23）均为整体框架。

3.一种框架外露多芯片单搭堆叠夹芯封装结构的工艺方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

步骤一、提供第一引线框；

步骤二、在第一引线框基岛区域通过网板印刷的方式涂覆锡膏；

步骤三、在步骤二中第一引线框基岛区域涂覆的锡膏上植入第一芯片；

步骤四、提供第二引线框，所述第二引线框为Z形，所述Z形的第二引线框包括第一上水平段、第一中间连接段和第一下水平段，在第二引线框的第一上水平段的下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏；

步骤五、将第二引线框的第一上水平段压合在第一引线框上表面的第一芯片上，压合后第一引线框和第二引线框形成整体框架，第一引线框下表面与第二引线框第一下水平段下表面齐平；

步骤六、将步骤五形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊；

步骤七、完成回流焊后，在第二引线框的第一上水平段的上表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏；

步骤八、在步骤七中第二引线框的第一上水平段上表面涂覆的锡膏上植入第二芯片；

步骤九、提供第三引线框，所述第三引线框为Z形，所述Z形的第三引线框包括第二上水平段、第二中间连接段和第二下水平段，在第三引线框的第二上水平段下表面和第二下水平段下表面通过网板印刷的方式涂覆锡膏；

步骤十、将第三引线框的第二上水平段压合在第二引线框的第一上水平段上表面的第二芯片上，且第三引线框的第二下水平段下表面搭设在第一引线框上表面上，压合后第一引线框、第二引线框和第三引线框形成整体框架；

步骤十一、将步骤十形成的整体框架上下表面用压板压住，进行回流焊；

步骤十二、将步骤十一经过回流焊后的整体框架采用塑封料进行塑封，塑封后第三引线框的第二上水平段的上表面暴露在塑封料之外；

步骤十三、将步骤十二完成塑封的半成品进行切割或是冲切作业，使原本阵列式塑封体，切割或是冲切独立开来，制得框架外露多芯片单搭堆叠夹芯封装结构。

4.根据权利要求3所述的一种框架外露多芯片单搭堆叠夹芯封装结构的工艺方法，其特征在于：所述第一引线框、第二引线框和第三引线框的材质可以为合金铜材、纯铜材、铝镀铜材、锌镀铜材、镍铁合金材，也可以为其它CTE范围是8*10^-6/℃~25*10^-6/℃的导电材质。

5.根据权利要求3所述的一种框架外露多芯片单搭堆叠夹芯封装结构的工艺方法，其特征在于：所述第一芯片和第二芯片为可以与金属锡结合的二极芯片、三极芯片或多极芯片。

6.根据权利要求3所述的一种框架外露多芯片单搭堆叠夹芯封装结构的工艺方法，其特征在于：所述压板材质的热膨胀系数CTE与第一引线框、第二引线框和第三引线框材质的热膨胀系数CTE接近，其CTE范围是8*10^-6/℃~25*10^-6/℃。