[发明专利]存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置

说明书

本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置。此方法包括：配置多个第一类超实体单元，其中每一个第一类超实体单元包括可同时被程序化的至少两个好实体抹除单元。此方法也包括：配置至少一第二类超实体单元，其中此至少一第二类超实体单元包括不可同时被程序化的至少两个好实体抹除单元。本发明提供的存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器储存装置，可将属于同一平面中的多个好实体抹除单元配置为同一个超实体单元，藉以增加所配置的超实体单元的数量，并且更有效地使用可复写式非易失性存储器模块中的好实体抹除单元。

技术领域

本发明涉及一种存储器管理方法，尤其涉及一种可复写式非易失性存储器模块的存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置。

背景技术

数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，闪存)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

一般来说，可复写式非易失性存储器模块是由一个存储器控制电路单元所控制。存储器控制电路单元可接收来自主机系统的数据，并把这些数据写入至可复写式非易失性存储器模块中。在一些设置中，可复写式非易失性存储器模块具有多个平面(plane)，并且每个平面包括多个实体抹除单元。存储器控制电路单元会将属于不同平面的多个实体抹除单元配置为同一个超实体抹除单元，并且存储器控制电路单元会交错地或是同时地程序化同一个超实体抹除单元内的实体抹除单元。藉此，当主机系统所下达的是连续数据时，把数据写入至可复写式非易失性存储器模块的速度会增加。

然而，可复写式非易失性存储器模块的各平面中的可能会包括好实体抹除单元及坏实体抹除单元，而存储器控制电路仅会使用各平面中的好实体抹除单元来配置为超实体抹除单元。倘若，各平面中包括不同数量的坏实体抹除单元，相对地，各平面中就会包括不对等数量的好实体抹除单元。在此种情况下，包括较多好实体抹除单元的平面中将存在剩余的好实体抹除单元无法被配置为超实体抹除单元，进而影响实际可使用的储存空间的大小。因此，如何充分地利用好实体抹除单元来配置更多的超实体抹除单元以提升实体抹除单元的使用率，为此领域技术人员所关心的议题。

发明内容

本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元及存储器储存装置，可将属于同一平面中的多个实体抹除单元配置为同一个超实体单元，藉以配置更多的超实体单元。

本发明一范例实施例提出一种存储器管理方法，用于存储器储存装置。此存储器储存装置具有可复写式非易失性存储器模块，并且此可复写式非易失性存储器模块具有多个好实体抹除单元。本存储器管理方法包括分配所述好实体抹除单元之中的其中一部分以配置多个第一类超实体单元，其中每一个第一类超实体单元至少包括第一好实体抹除单元及第二好实体抹除单元，并且第一好实体抹除单元及第二好实体抹除单元会同时被程序化。本存储器管理方法也包括分配所述好实体抹除单元之中的剩余部分以配置至少一个第二类超实体单元。所述至少一个第二类超实体单元至少包括第三好实体抹除单元及第四好实体抹除单元，并且第三好实体抹除单元及第四好实体抹除单元不会同时被程序化。

在本发明的一范例实施例中，上述的存储器管理方法还包括从主机系统接收指示写入第一数据的第一写入指令，其中第一数据包括第一部分及第二部分。再者，将第一数据的第一部分写入至第三好实体抹除单元中。并且在将第一数据的第一部分写入至第三好实体抹除单元之后，倘若第三好实体抹除单元存在未写入数据的至少一实体程序化单元，将第一数据的第二部分写入至第三好实体抹除单元。此外，在将第一数据的第一部分写入至第三好实体抹除单元之后，倘若第三好实体抹除单元的所有实体程序化单元皆已写入数据，将第一数据的第二部分写入至第四好实体抹除单元。