[发明专利]一种微力及微位移放大传感器

权利要求书

1.一种微力及微位移放大传感器，包括固定结构(1)、应变结构(2)、施力结构(3)，其特征是，

还包括设置在应变结构(2)下方的过载保护结构(4)，过载保护结构由限位杆(41)与支撑刚性体(42)构成；

所述固定结构(1)包括刚性体基座(11)，以及竖直刚性体(12)；

所述应变结构(2)包括辅助弹性薄片(21)，以及设置有应变片(6)的主弹性薄片(22)，所述主弹性薄片(22)的一端与施力结构(3)通过安装孔(7)固定，另一端通过预紧力与过载保护结构(4)预接触，辅助弹性薄片(21)的两端分别与竖直刚性体(12)和施力结构(3)通过安装孔(7)固定；

所述施力结构(3)包括施力点(31)，以及起位移放大作用的水平刚性体(32)；

主弹性薄片(22)在施力点(31)施加微力时产生最大位移最下方，设置一根限位杆(41)，限位杆(41)根据位移放大情况，调整两者间的间隙。

2.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，水平刚性体(32)与主弹性薄片(22)构成悬臂梁结构，同时通过预紧力保持主弹性薄片(22)与支撑刚性体(42)预接触。

3.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，所述的过载保护结构(4)固定在刚性体基座(11)上，调整过载保护结构(4)与主弹性薄片(22)间的间隙保持在0.1mm至0.5mm。

4.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，所述竖直刚性体(12)与施力结构(3)，通过辅助弹性薄片(21)桥接。

5.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，主弹性薄片(22)上贴有应变片(6)，所述应变片(6)构成惠更斯桥式电路。

6.根据权利要求1所述的一种微力及微位移放大传感器，其特征是，主弹性薄片(22)的厚度为辅助弹性薄片(21)厚度的1/10至1/5倍，主弹性薄片(22)的长度是辅助弹性薄片(21)的5至10倍。