[发明专利]一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法

权利要求书

1.一种高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法，其特征在于，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi₂O₃、三氧化二锑Sb₂O₃、二氧化锰MnO₂、氧化铬Cr₂O₃、三氧化二钴Co₂O₃、二氧化硅SiO₂、氧化银Ag₂O、硝酸铟In(NO₃)₃，

所述制备原料还包括硝酸钇Y(NO₃)₃或氧化钇Y₂O₃中的一种，

制备步骤包括制备辅助添加浆料、添加ZnO、添加银离子、添加铟离子、添加钇离子、成型、烧结,

各制备原料的摩尔比为：

ZnO：Bi₂O₃：Sb₂O₃：MnO₂：Cr₂O₃：Co₂O₃：SiO₂：Ag₂O：In(NO₃)₃：Y(NO₃)₃＝87.5～95.8:0.5-2.0:0.5-1.5:0.5-1.0:0.5-1.0:0.5-1.5:1.0-2.0:0.1-1.0:0.1-1.0：1.0-1.5,

ZnO：Bi₂O₃：Sb₂O₃：MnO₂：Cr₂O₃：Co₂O₃：SiO₂：Ag₂O：In(NO₃)₃：Y₂O₃＝87.5～95.8:0.5-2.0:0.5-1.5:0.5-1.0:0.5-1.0:0.5-1.5:1.0-2.0:0.1-1.0:0.1-1.0：1.0-1.5,

制备辅助添加浆料步骤中，成分包括Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Cr₂O₃、Co₂O₃、SiO₂，辅助添加浆料的制备方法为加水砂磨，加水砂磨时间为1-3h，加水砂磨过程中加入的水为去离子水，所加入去离子水与所述辅助添加浆料的质量份数比为去离子水2份、辅助添加浆料1份，所加入的Bi₂O₃、Sb₂O₃、MnO₂、Cr₂O₃、Co₂O₃、SiO₂的摩尔比为:0.5-2.0:0.5-1.5:0.5-1.0:0.5-1.0:0.5-1.5:1.0-2.0。

2.根据权利要求1中所述的高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述成型步骤为压片成型，使用液压压片机以及直径30mm的圆柱形模具，将干燥造粒后的颗粒料压片成型，成型压力为150MPa，成型时间2.5min。

3.根据权利要求1中所述的高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法，其特征在于，采用高温炉进行烧结，采用100～250℃/h的升温速度，使高温炉升至400℃，在400℃环境下保温排胶4h，从室温升温至烧结温度1200～1300℃，在烧结温度下保温3～4h，使陶瓷烧结致密。

4.根据权利要求1中所述的高电压梯度、低泄露电流压敏电阻陶瓷材料的制备方法，其特征在于，添加ZnO过程中，加入的ZnO与辅助添加浆料中Bi₂O₃的摩尔比为87.5～95.8：0.5-2.0，添加ZnO后进行混合砂磨形成浆料，混合砂磨时间为1-2h，混合砂磨过程中需加入去离子水，所加入的去离子水与浆料的质量份数比为去离子水1份、浆料0.5份。