[发明专利]纯电阻负载回路的保护电路和方法

权利要求书

1.一种纯电阻负载回路的保护电路，其特征在于，包括：直流电源输出电路、处理控制电路、接触不良检测电路和脱扣器驱动电路，其中，

所述直流电源输出电路，与所述处理控制电路相连，用于为所述处理控制电路提供工作所需的电源；

所述处理控制电路，与所述接触不良检测电路和所述脱扣器驱动电路相连，用于接收所述接触不良检测电路所生成的接触不良脉冲信号，并根据所述脉冲信号控制所述脱扣器驱动电路完成脱扣跳闸；

所述接触不良检测电路，设置有电流互感器，其中，所述电流互感器用于将检测到的被控制的纯电阻负载回路的接触不良特征波形转换所述脉冲信号。

2.根据权利要求1所述的纯电阻负载回路的保护电路，其特征在于，所述直流电源输出电路包括：

第一端子，所述第一端子的第一端连接交流电的N线，所述第一端子的第二端连接交流电的L线，所述L线和所述N线经过所述第一端子与MOV、第一电阻R0和瓷片电容C0并联；

整流桥BG1，所述整流桥BG1的输入端1脚通过相互并联的电阻R1、R_1和R_2与所述L线相连，所述整流桥BG1的输入端2脚与所述N线相连，所述整流桥BG1的输出端3脚与电解电容C1的正极、接地电阻R5的一端、限流电阻R6的一端、限流电阻R7的一端相连，所述限流电阻R7的另一端与稳压管D3的阴极相连，所述整流桥BG1的输出端4脚与电解电容C1的负极、接地电阻R5的另一端、稳压管D3的阳极、直流接地端相连。

3.根据权利要求2所述的纯电阻负载回路的保护电路，其特征在于，所述整流桥BG1的输出端3脚向所述处理控制电路输出+12V电源。

4.根据权利要求2所述的纯电阻负载回路的保护电路，其特征在于，所述限流电阻R6的另一端与发光二极管D7的阳极相连，所述发光二极管D7的阴极接地，所述发光二极管D7用于纯电阻负载回路的保护电路的电源指示。

5.根据权利要求1所述的纯电阻负载回路的保护电路，其特征在于，所述接触不良检测电路，包括：

第二端子，所述第二端子的第一端与所述电流互感器的第一输出引脚相连，所述第二端子的第二端与所述电流互感器的第二输出引脚相连，所述电流互感器的第一输出引脚还与电阻R22的一端相连，所述电阻R22的另一端与二极管D6的阳极相连，所述二极管D6的阴极与电阻R17的一端、瓷片电容C10的一端及电阻R18的一端相连，所述电阻R17的另一端和所述瓷片电容C10的另一端接地，所述电阻R18的另一端与稳压二极管D8的阴极、电阻R21的一端及所述处理控制电路相连，所述稳压二极管D8的阳极和所述电阻R21的另一端接地，所述第二端子的第二端接地，从所述电阻R22到所述处理控制电路之间的电路为检测纯电阻负载回路的接触不良特征波形的检测电路。

6.根据权利要求5所述的纯电阻负载回路的保护电路，其特征在于，所述电流互感器由导磁率满足预设值的磁芯绕成。

7.根据权利要求1所述的纯电阻负载回路的保护电路，其特征在于，所述脱扣器驱动电路包括：

电阻R19，所述电阻R19一端与所述处理控制电路相连，另一端与可控硅BT1的控制极及片状电容C13的一端相连，所述可控硅BT1的阴极和片状电容C13的另一端都与零线相连，所述可控硅BT1的阳极与脱扣器的跳闸线圈TKQ的一端相连，所述脱扣器的跳闸线圈TKQ的另一端与脱扣器静触点D9相连。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的纯电阻负载回路的保护电路，其特征在于，所述处理控制电路采用的控制芯片的型号为MSP430F2012。

9.一种纯电阻负载回路的保护方法，其特征在于，包括：

将纯电阻负载回路的电流波形通过电流互感器转换为脉冲信号；

根据所述脉冲信号确定所述纯电阻负载回路是否发生接触不良的情况；

如果确定所述纯电阻负载回路发生接触不良的情况，则切断所述纯电阻负载回路。