[发明专利]一种具有良好孔掩蔽功能的干膜抗蚀剂及其层压体

说明书

本发明提供一种具有良好孔掩蔽和分辨率的干膜抗蚀剂及其层压体，所述干膜抗蚀剂包括第一组分和第二组分，所述第一组分由碱可溶性聚合物、含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物、光引发剂和助剂组成；所述第二组分由含羧基的碱可溶性聚合物、含有乙烯基的不饱和键单体或寡聚物、光引发剂、结构式I的化合物、以及助剂组成；所述层压体包括支撑体、由第一组分构成的第一抗蚀层，由第二组分构成的第二抗蚀层，以及层叠于第二抗蚀剂层之上的保护膜。本发明通过对两种组分设计不同的分子量和交联密度，实现了良好的显影性和孔掩蔽性能。。

技术领域

本发明涉及一种具有良好孔掩蔽性能和良好的分辨率的，可进行碱溶液显影的干膜抗蚀剂及其层压体。

背景技术

印刷电路板的制造方法主要有掩膜法和图形电镀法两种。掩膜法是用保护层保护用于搭载接头的铜通孔，经过蚀刻、去膜形成电路。图形电镀法通过电镀法在通孔中电镀铜，再通过镀锡焊料保护，经过去膜、蚀刻形成电路。在这些方法中，都要求感光性树脂组合物具有优异的掩孔性能。

同时，随着电子设备向着轻薄短小的方向发展，其所搭载的印刷电路板、引线框架等图形的线条尺寸也越来越小，基板和已经形成图形的树脂组合物接触面积也处于变小的趋势，为了以更高良品率制造这种窄间距的线路图形，这就要求干膜抗蚀剂具有良好的分辨率。

专利WO01/092958使用可光交联的氨基甲酸酯结构的寡聚物，获得了很好的孔掩蔽性能，但氨基甲酸酯结构的寡聚物的使用，降低了其显影性。专利US8101339使用了在分子结构中引入烷氧基的三(2-羟乙基)异氰脲酸酯丙烯酸酯，以降低三(2-羟乙基)异氰脲酸酯丙烯酸酯本身的脆性，提高干膜掩孔能力和抗化性。专利US7517636报道一种新型干膜，这种干膜具有良好的掩孔能力和显影性能。

通过提高干膜抗蚀剂组合物中所含有的碱可溶性树脂的分子量，或者增加组合物中的可聚合单体的用量，可以提高孔的掩蔽性能，但往往伴随的不利情况是分辨率的下降。

特别是，在图形曝光、显影后，在未曝光的图形靠近曝光部分的侧边根部，由于线路过细造成冲洗死角等原因，容易出现碱液未能洗去的残胶。本发明正是鉴于存在的这些问题而提出的，本发明的目的在于提供一种可靠的干膜抗蚀剂，在抗蚀剂曝光显影后，具有良好孔掩蔽和良好的分辨率的综合性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有良好孔掩蔽和分辨率的干膜抗蚀剂，其在印刷电路板、引线框架等的制造、半导体封装等的制造、金属的精密加工等领域中，作为刻蚀用或镀敷用的干膜抗蚀剂材料，在图形曝光显影后，具有良好的孔掩蔽和分辨率的综合能力。

基于以上抗蚀剂，本发明还提供一种层压体，同时具有良好抗碱蚀的性能、力学性能和显影性能。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种干膜抗蚀剂，包括第一组分和第二组分，所述第一组分由50～70重量份重均分子量为80000～160000的含羧基的碱可溶性聚合物、15～45含有乙烯基的不饱和单体或寡聚物、0.5～10重量份的光引发剂和0～5重量份的助剂组成；所述第二组分由50～70重量份重均分子量为30000～120000的含羧基的碱可溶性聚合物、15～45含有乙烯基的不饱和键单体或寡聚物、0.5～10重量份的光引发剂、0.1～2重量份结构式I的化合物、以及0～5重量份的助剂组成；所述第一组合物中含羧基的碱可溶性聚合物比第二组合物中含羧基的碱可溶性聚合物的重均分子量大；或者相同质量的第一组分和第二组分中，第一组合物中的乙烯基的数量大于第二组合物中乙烯基的数量。

其中，R1、R2、R3、R4、R5均选自H、COOH、OH，且R1、R2、R3、R4、R5中至少包含一个OH基团或COOH基团。

进一步地，所述第一组分和第二组分中的含羧基的碱可溶性聚合物的酸含量在80-400mgKOH/g，更优选为100-300mgKOH/g。