[发明专利]一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法

说明书

一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法，制备原料包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、氧化银Ag2O、Ga(NO3)3、硝酸铝Al(NO3)3。其有益效果是：泄漏电流得到抑制；Al和Ga元素的共同添加使得本配方制作的ZnO压敏电阻的老化性能更加稳定，消除了单纯添加Ag离子带来的压敏电阻老化性能不稳定的不足之处。

技术领域

本发明涉及材料化学领域，特别是一种陶瓷的制备方法。

背景技术

ZnO压敏电阻是以ZnO为主要原料，添加少量的Bi2O3、Sb2O3、MnO2、Cr2O3、Co2O3、和银玻璃粉等作为辅助成份，采用陶瓷烧结工艺制备而成。由于其良好的非线性性能和大通流容量的优点，19世纪70年代被发现以来，ZnO压敏电阻作为电力系统避雷器的核心元件被广泛的应用于电力系统防雷和电力设备的过电压保护。

随着输电电压等级的不断提高，特别是是特高压系统，设备绝缘问题日益突出，全面提高设备绝缘将付出高昂的代价。采用高梯度、低残压的ZnO压敏电阻组装而成的避雷器可降低系统的绝缘水平，减小输变电设备的重量和体积，提高输电系统的可靠性。

ZnO压敏电阻的非线性特性可分为三个区域：小电流区、中电流区以及大电流区。小电流区(<10-4A/cm2)又称为预击穿区，该区域内晶界呈现出高阻状态，I-V曲线表现为欧姆特性，在该区域的欧姆特性曲线斜率越大，则ZnO压敏电阻的小电流特性越稳定，压敏电压U1mA也就越高。中电流区为非线性电阻区，此区域电流急剧增大而电压增加缓慢，此区域I-V特性由ZnO晶粒与ZnO晶界共同影响而决定，是压敏电阻的工作区。大电流区(>103A/cm2)又变为欧姆特性，该区域ZnO晶粒的电阻决定了残压的高低，同时该区域在I-V特性平面出现的位置，决定了ZnO压敏电阻通流容量的大小。

不论是在中电流区还是大电流区，ZnO晶粒电阻都影响着I-V特性。要降低ZnO压敏电阻的残压，必须降低ZnO压敏电阻的电阻率。根据以往的研究表明，添加一定量的施主离子能够明显提高ZnO晶粒的电阻率，从而达到降低残压的目的。在实际的工业生产中大多采用Al离子作为施主离子添加到ZnO压敏电阻材料中，但是Al离子的添加 往往伴随着泄漏电流的增加，同时导致非线性系数的降低，ZnO压敏电阻的老化特性也变得不稳定。在工业应用中，也有采用ZnO和部分辅助添加料预烧结的方式，使得部分混合原料预反应，以提高压敏材料的势垒和稳定性，这种方式使得生产工艺复杂化。目前主要通过提高晶粒的均匀程度，使得电流能够均匀的流过整个压敏电阻阀片，从而提高ZnO压敏电阻的通流容量，但晶粒的均匀程度受烧结工艺以及原料混合研磨工艺等的影响较大，做到晶粒的均一化有难度较大。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述问题，设计了一种特高压输电系统用大通流容量、低残压压敏陶瓷制备方法。具体设计方案为：