[发明专利]一种高透过率导电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201510998333.2 | 申请日: | 2015-12-24 |
公开(公告)号: | CN105551580B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 苏丽芬;夏茹;杨斌;钱家盛;苗继斌;陈鹏;郑争志;曹明 | 申请(专利权)人: | 安徽大学 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/08;H01B1/04;H01B13/00 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人: | 何梅生,卢敏 |
地址: | 230601 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透过 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种高透过率导电薄膜,其特征在于:所述高透过率导电薄膜是以玻璃为衬底,采用三层膜组合方式,底层为减反射薄膜,中间层为p型半导体氧化物薄膜,顶层为氮掺杂石墨烯薄膜;
所述减反射薄膜为纳米SiO2薄膜,厚度为20~50nm,在550nm处的透过率不低于97%;
所述p型半导体氧化物薄膜为镓掺杂氧化钛薄膜或镓掺杂氧化锡薄膜,薄膜厚度低于30nm。
2.一种权利要求1所述高透过率导电薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)通过提拉镀膜的方法在玻璃衬底上形成减反射薄膜,并进行热处理;
(2)通过提拉镀膜的方法在减反射薄膜上形成p型半导体氧化物薄膜;
(3)以氧化石墨烯为原料、以尿素为氮源,超声剥离2~3h,再160℃水热反应12小时,获得1~5层厚的片状氮掺杂氧化石墨烯;通过旋涂镀膜的方法,使片状氮掺杂氧化石墨烯在p型半导体氧化物薄膜表面形成氮掺杂石墨烯薄膜;
(4)真空干燥,即获得高透过率导电薄膜。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)和步骤(2)中提拉镀膜的提拉速度为60~90mm/min。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中热处理是在500℃恒温处理1h。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中旋涂镀膜的旋转速度为:先低速300~400r/min旋转6~8s,再高速2500~4000r/min旋转6~8s。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤(4)中真空干燥的条件是150℃干燥2小时。
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