[发明专利]一种基于超薄金属的透明电极及其制备方法有效
申请号: | 201510998448.1 | 申请日: | 2015-12-28 |
公开(公告)号: | CN105449106B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 杨俊;王婧;钱彦雄;彭进才;汤林龙;冷重钱;罗伟;陆仕荣;魏兴战;史浩飞 | 申请(专利权)人: | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
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地址: | 400714 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 超薄 金属 透明 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于超薄金属的透明电极,其特征在于所述透明电极为四层结构,自下而上依次为透明基底(1)、位于所述透明基底上的成核籽晶层(2)、位于所述成核籽晶层上的超薄金属层(3)以及位于所述超薄金属层上的减反增透层(4);
所述超薄金属层(3)为Al、Ag、Au、Cu中的一种或者其中两种金属的复合体系,或者上述Al、Ag、Au、Cu中某一种金属掺氧体系;
所述减反增透层(4)为CuSCN、CuI中的一种或者二者的混合体系,其厚度为10-60nm,通过旋涂、刮涂、丝网印刷、喷墨打印、磁控溅射或者真空蒸镀方式中的一种沉积在超薄金属层(3)上面,且沉积后是在120℃的热板上退火20min得到的,减反增透层(4)既可以形成透明电极的减反增透层,又可以直接作为光电器件的空穴传输层;
若为ZnO-Ag/Al-CuSCN体系的超薄金属透明电极时,位于所述成核籽晶层上的超薄金属层(3)是在以下条件制备而得的:以纯度优于99.99%的Ar作为沉积气氛,Ar流量为45sccm,同时激活Ag靶材及Al靶材,Ag靶上溅射功率为300W,Al靶上的溅射功率为50W,溅射膜厚为9nm;
若为ZnO-CuOx-CuSCN或者TiO2-AgOx-CuI体系的超薄金属透明电极时,位于所述成核籽晶层上的超薄金属层(3)是在以下条件制备而得的:以纯度优于99.99%的Ar作为沉积气氛,Ar流量为45sccm,O2流量为2sccm,激活Cu或Ag靶材,溅射功率为40W,溅射膜厚为10nm。
2.根据权利要求1所述的一种基于超薄金属的透明电极,其特征在于所述透明基底(1)为玻璃、石英、蓝宝石、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的任一种,且透明基底(1)的表面粗糙度应优选低于超薄金属层(3)的厚度。
3.根据权利要求1所述的一种基于超薄金属的透明电极,其特征在于所述成核籽晶层(2)为为金属氧化物或石墨烯。
4.根据权利要求3所述的一种基于超薄金属的透明电极,其特征在于所述金属氧化物为ZnO、TiO2、WO3中的一种,其厚度为3-60nm,可以通过真空蒸镀或者电子束沉积或者磁控溅射的方式沉积。
5.根据权利要求3所述的一种基于超薄金属的透明电极,其特征在于所述石墨烯通过CVD生长方式制备,并转移至透明基底上,其层数为1-5层。
6.根据权利要求1所述的一种基于超薄金属的透明电极,其特征在于所述超薄金属层(3)的厚度为6-15nm;所述Al、Ag、Au、Cu中两种金属的复合体系通过同步蒸镀或者同步溅射的方式沉积,其中一种金属的质量比超过90%;所述Al、Ag、Au、Cu中某一种金属掺氧体系通过在溅射金属时通入一定比例的氧气制备,掺氧的质量比为0.5-10%。
7.一种如权利要求1所述的基于超薄金属的透明电极的制备方法,其特征在于该方法步骤如下:
步骤1:将透明基底进行清洗并烘干;
步骤2:在透明基底上沉积作为成核籽晶层;
步骤3:在成核籽晶层上沉积超薄金属;
步骤4:在超薄金属上面沉积CuSCN或CuI作为减反增透层;
其中,步骤3中沉积超薄金属时,采用Al、Ag、Au、Cu中的一种或者其中两种金属的复合体系,或者上述Al、Ag、Au、Cu中某一种金属掺氧体系;步骤4中在超薄金属上面沉积CuSCN或CuI后置于120℃的热板上退火20min;且
当制备ZnO-Ag/Al-CuSCN体系的超薄金属透明电极时,步骤3中是以纯度优于99.99%的Ar作为沉积气氛,Ar流量为45sccm,同时激活Ag靶材及Al靶材,Ag靶上溅射功率为300W,Al靶上的溅射功率为50W,溅射膜厚为9nm;
当制备ZnO-CuOx-CuSCN或者TiO2-AgOx-CuI体系的超薄金属透明电极时,步骤3中以纯度优于99.99%的Ar作为沉积气氛,Ar流量为45sccm,O2流量为2sccm,激活Cu或Ag靶材,溅射功率为40W,溅射膜厚为10nm。
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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