[发明专利]一种高海拔种植霍山石斛的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种高海拔种植霍山石斛的方法，属于植物栽培技术领域。

背景技术

霍山石斛俗称米斛，是兰科石斛属的草本植物，中国国家地理标志产品，主产于大别山 区的安徽省霍山县，大多生长在云雾缭绕的悬崖峭壁崖石缝隙间和参天古树上，生于山地林 中树干上和山谷岩石上。霍山石斛能大幅度提高人体内SOD(延缓衰老的主要物质)水平， 对经常熬夜、用脑、烟酒过度，体虚乏力的人群，经常饮用非常适宜。霍山石斛有明目作用， 也能调和阴阳、壮阳补肾、养颜驻容，从而达到保健益寿的功效。

霍山石斛的生长条件极为苛刻，属于国家濒临灭绝的珍稀名贵中药材，是国家野生药材 二级保护品种。在野生状态下，霍山石斛繁殖速率低、生长缓慢，加之掠夺性采挖，使其野 生资源日益减少，远远不能满足国内外市场经济发展和临床医学的需要。我国的一些科研机 构和企业单位对石斛的组培和人工栽培技术进行不断的探索和试验，取得了一定的成绩，但 是尚存在石斛种植成活率低、生长速度慢、产量不高等问题。现在石斛种植大都在海拔 300～500米，属于低海拔种植，而高海拔种植石斛，气温低，和低海拔种植石斛的方法存在 差异性。

发明内容

本发明的目的在于：提供一种成活率高的高海拔种植霍山石斛的方法。

为了实现上述发明目的，本发明提供如下技术方案：

一种高海拔种植霍山石斛的方法，具体包括以下步骤：

(1)种植场地的选择

选择通风良好的阔叶林疏林地，海拔600～800m，坡度不大于20°，日均光照强度 5000～12000Lux；

(2)整地做床

沿等高线方向修筑梯地，梯地宽度根据地势而定，平整土地、清除杂草和树根，在平整 的土地上铺20～30cm厚的石块，再铺7～12cm厚的砾石，最后再铺松树皮和阔叶林落叶的混 合物10公斤/m²，作为霍山石斛栽培基质；

(3)霍山石斛种苗的准备

把霍山石斛种苗放入50％多菌灵可湿性粉剂800倍液浸泡20～60秒，取出后用清水洗净 即可种植；

(4)栽种

栽种时间为4月中旬，按株距12～15cm，行距15～20cm的标准，将霍山石斛种苗固定在 所述的栽培基质上，种植完成后，浇足定根水；

(5)栽后管理

包括灌溉、施肥、遮阴和保暖防护：①灌溉：灌溉所用水的pH值5.5～7.0，喷斗间距 0.8～1.2m，春天每4天喷灌一次，夏季每2天喷灌一次，秋季和冬季每5天喷灌一次；②施 肥：次年2月向栽培基质上施用蚕粪100公斤/亩；③遮阴：夏季通过对场地树木的剪修或设 置遮阳网控制遮光度，遮光度范围为50％～70％；④保暖防护：12月份在霍山石斛种苗上覆 盖阔叶林落叶，落叶将种苗完全包裹，第二年开春将阔叶林落叶拨开，露出来石斛苗；

(6)采收

在种植的第二年11月中下旬进行采收，把叶子自然脱落下的成熟茎从根部剪下，嫩茎不 采，留下继续生长。

优选地，所述步骤(2)中砾石的直径为2～6cm。

优选地，所述步骤(4)中霍山石斛种苗固定时3～5株为一丛。

优选地，所述步骤(5)中灌溉所用装置位置高于种苗位置。

优选地，所述步骤(5)中遮阳网固定在林间树木上，距离栽培基质1～2m。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明利用高海拔地区作为霍山石斛的种植场地，选择合适森林树枝密度，充分利用高 海拔地区的林地，回归霍山石斛原始生长状态，几乎没有病虫害，种植不需要与农业抢耕地； 在种植的过程中，只施用了蚕粪，完全不使用化肥，生态环保，对人体无害；冬季对石斛苗 的保暖防护中，就地取材，利用阔叶林落叶将其覆盖，起到防冻保暖的效果，第二年开春将 阔叶林落叶拨开，落叶发生腐殖化和矿质化，形成腐殖质，可以有效改善栽培基质的肥力。

具体实施方式

下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施， 给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

实施例1

一种高海拔种植霍山石斛的方法，具体包括以下步骤：

(1)种植场地的选择