[发明专利]OLED显示结构及其像素结构在审
申请号: | 201510999454.9 | 申请日: | 2015-12-28 |
公开(公告)号: | CN105428390A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 陈红;张德强;魏朝刚;段志勇 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 结构 及其 像素 | ||
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域,特别是涉及一种OLED显示结构及其像素结构。
背景技术
OLED是下一代新型显示技术和照明技术,应用前景巨大。已经量产的中小尺寸AMOLED的RGB子像素都采用蒸镀技术,其分辨率受到掩膜板制备工艺的限制很难提高,而白光OLED加彩色滤光片方式的OLED屏幕则可提供较高的分辨率,但其通常有2/3的光强都被滤光片吸收掉,因而整体功耗很高,未能在中小尺寸AMOLED应用中实现量产。
发明内容
基于此,有必要提供一种分辨率较高同时功耗较小的OLED显示结构,使其可以用于中小尺寸AMOLED。
此外,还提供一种OLED像素结构。
一种OLED的像素结构,包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,其特征在于,所述第一子像素采用自发光结构获得,所述第二子像素和第三子像素采用白光OLED和滤光片获得;
所述第一子像素、第二子像素以及第三子像素颜色互不相同,且分别对应红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的一种。
在其中一个实施例中,所述白光OLED与第一子像素均呈条状且并列设置,由所述白光OLED经滤光得到的第二子像素和第三子像素均呈条状且并列设置,所述第一子像素、第二子像素以及第三子像素依次排列。
在其中一个实施例中,所述白光OLED与第一子像素均呈条状且并列设置,由所述白光OLED经滤光得到的第二子像素和第三子像素均呈块状且并列设置,所述第二子像素和第三子像素在与第一子像素纵向平行的方向上依次排列。
在其中一个实施例中,采用白色OLED和滤光片获得相应单色光时,还保留部分白光形成白色子像素。
在其中一个实施例中,所述第一子像素为蓝色子像素且采用自发光结构获得,所述第二子像素和第三子像素分别为红色子像素和绿色子像素且为采用白光OLED和滤光片获得的相应单色光。
在其中一个实施例中,所述像素结构包括依次层叠的第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、第二电子注入层或空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层及阴极层;
其中第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层整体形成蓝光发光结构;
所述第二电子注入层或空穴注入层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层整体形成黄光发光结构;
所述黄光发光结构与蓝光发光结构部分重叠获得白光。
一种OLED显示结构,包括成行列排布的多个像素,所述像素具有上述的像素结构。
在其中一个实施例中,所有的像素排列方式相同。
在其中一个实施例中,同一列上的像素排列方式相同,同一行上的相邻像素呈镜像排列;或者同一列上的相邻像素以第一子像素相互错位的方式排列,同一行上的所有像素排列方式相同。
在其中一个实施例中,同一列上的像素间隔地以第一子像素相互错位的方式排列,同一行上的相邻像素呈镜像排列。
在形成上述OLED的像素结构或制作OLED显示结构时,白光区域由金属掩膜板蒸镀而成,然后利用滤光片阵列来滤出尺寸更小的单色光,从而提高像素分辨率。而蓝色子像素采用自发光结构生成,其出光效率较高。因此上述像素结构整体上可以获得较高的分辨率,而发光效率又比全部采用滤光片的结构更高、功耗更低。
附图说明
图1为一具体实施例的OLED的像素结构示意图;
图2为图1的像素结构中的一种蓝色子像素结构示意图;
图3为图1的像素结构中的形成蓝色子像素和白光OLED的另一种结构示意图;
图4a~4d是各种子像素形状和排列示意图;
图5为第一实施例的OLED显示结构平面示意图;
图6为第二实施例的OLED显示结构平面示意图;
图7为第三实施例的OLED显示结构平面示意图;
图8为第四实施例的OLED显示结构平面示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例进行进一步说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的