[发明专利]外腔窄线宽激光器有效
| 申请号： | 201510999578.7 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105428998B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘建国;于丽娟;苏亚嫚;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/14 | 分类号： | H01S5/14;H01S5/06;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外腔窄线宽 激光器 | ||
1.一种外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述激光器包括：半导体光放大器(102)、平面波导光栅(103)和衬底(101)，其中：
所述半导体光放大器(102)和平面波导光栅(103)键合到所述衬底(101)上；
所述半导体光放大器(102)的一端镀有高反射膜，另一端镀有高透膜；
所述平面波导光栅(103)的两侧均镀有高透膜；所述平面波导光栅(103)为布拉格外脊波导光栅结构；
所述半导体光放大器(102)镀有高透膜一端的端面与所述平面波导光栅(103)的一侧端面相耦合；其中，所述平面波导光栅(103)包括：
衬底(401)，其制备材料为Si，用于在其表面上制作平面波导光栅(103)的外延层；
隔离氧化层(402)，其制备材料为SiO2，制作在所述衬底(401)上；
波导层(403)，其制备材料为Si，制作在所述隔离层(402)上；
光栅，刻在所述波导层(403)上；
利用硅材料的热光效应、载流子色散效应，对光栅的谐振波长进行调制；通过调节光栅与内脊波导间的距离d，光栅齿幅度a，对光栅的耦合系数和线宽进行调制。
2.根据权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述衬底(101)为图形衬底，衬底(101)的制备材料为Si。
3.根据权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述半导体光放大器(102)的波导为直波导与弯曲波导的组合体，直波导端面镀有高反射膜，弯曲波导端面镀有高透射膜。
4.根据权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述半导体光放大器包括：
n型衬底(201)，用于在其一侧表面上制作外延层材料，所述n型衬底(201)的另一侧表面上制作有n面电极(212)；
n型InP缓冲层(202)，制作在所述n型衬底(201)上；
下限制层(203)，制作在所述n型InP缓冲层(202)上；
有源层(204)，制作在所述下限制层(203)上；
上限制层(205)，制作在所述有源层(204)上；
p型包层(206)，制作在所述上限制层(205)上；
刻蚀停止层(207)，制作在所述p型包层(206)上；
氧化层(208)和P型包层(209)，均制作在所述停止层(207)上，且所述氧化层(208)包围所述P型包层(209)；
欧姆接触层(210)，制作在所述p型包层(209)上；
p面电极(211)，制作在p型欧姆接触层(210)上。
5.根据权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述光栅为相移光栅。
6.根据权利要求1所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述波导层为脊型波导结构。
7.根据权利要求6所述的外腔窄线宽激光器，其特征在于，所述光栅为布拉格光栅，所述布拉格光栅刻蚀在脊型波导的外脊上。
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