[发明专利]毫米波/太赫兹多金属层半导体器件的接地屏蔽结构在审
| 申请号： | 201511000041.1 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105609486A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王磊;杨漫菲;马凯文;陈庆;方堃;孙博文 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/58;H01L23/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 毫米波 赫兹 金属 半导体器件 接地 屏蔽 结构 | ||
【权利要求书】：
1.接地屏蔽金属环和接地隔离金属条由金属层1通过通孔2,4,6,810逐层连接金属层3,5,7,9一直到金属层11形成两个衔接的金属环状。
2.如权利要求1所言，有源晶体管发射极与接地屏蔽环、接地隔离金属条相连接形成良好接地。有源晶体管基级16与金属层103、金属层303、金属层503、金属层703、金属层903、金属层1103、金属层1301通过通孔203、通孔403、通孔603、通孔803、通孔1003、通孔1201、通孔1401、连接的到最高层金属1501；有源晶体管集电极18与金属层104、金属层304、金属层504、金属层704、金属层904、金属层1104、金属层1302通过通孔204、通孔404、通孔604、通孔804、通孔1004、通孔1202、通孔1402、连接的到最高层金属1502。
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