[发明专利]氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底(11)上制作形成氧化物半导体层(12)，其中所述氧化物半导体层(12)包括第一区域(A)、第二区域(B)和第三区域(C)；

在所述衬底(11)上连续形成栅极绝缘层薄膜(13)和栅极金属层薄膜(14)，其中所述栅极绝缘层薄膜(13)覆盖所述氧化物半导体层(12)，所述栅极金属层薄膜(14)覆盖所述栅极绝缘层薄膜(13)；

对所述栅极金属层薄膜(14)和所述栅极绝缘层薄膜(13)进行图形化，使所述栅极金属层薄膜(14)在被图形化之后形成氧化物薄膜晶体管的栅极(14a)，使所述栅极绝缘层薄膜(13)在被图形化之后形成栅极绝缘层(13a)，其中所述栅极绝缘层(13a)覆盖所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)；

在所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)被所述栅极绝缘层(13a)覆盖的前提下，对所述氧化物半导体层(12)的第二区域(B)和第三区域(C)进行离子注入，使所述第二区域(B)和所述第三区域(C)由半导体分别转变为第一电极(122)和第二电极(123)，其中所述第二电极(123)作为像素电极，所述第一区域(A)保持为半导体性质并作为氧化物薄膜晶体管的沟道区(121)；

在所述衬底(11)上形成第一钝化层(15)，其中所述第一钝化层(15)覆盖所述第一电极(122)、所述栅极(14a)和所述第二电极(123)，并在所述第一钝化层(15)中与所述第一电极(122)相对应的位置形成通孔(150)；

在所述第一钝化层(15)上形成数据线(16)，其中所述数据线(16)填入所述第一钝化层(15)的通孔(150)中与所述第一电极(122)电连接；

在所述第一钝化层(15)上形成第二钝化层(17)，其中所述第二钝化层(17)覆盖所述数据线(16)。

2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述栅极金属层薄膜(14)和所述栅极绝缘层薄膜(13)进行图形化的步骤具体包括：

在所述栅极金属层薄膜(14)上涂覆一层光阻层，对所述光阻层进行曝光和显影，利用显影留下的光阻层图案(20)作为遮罩对所述栅极金属层薄膜(14)进行一次湿蚀刻，所述栅极金属层薄膜(14)在被湿蚀刻之后形成所述栅极(14a)；

再以所述光阻层图案(20)作为遮罩对所述栅极绝缘层薄膜(13)进行一次干蚀刻，所述栅极绝缘层薄膜(13)在被干蚀刻之后形成所述栅极绝缘层(13a)。

3.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在所述第二钝化层(17)上制作形成公共电极(18)。

4.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底(11)上制作形成所述氧化物半导体层(12)之前，所述制作方法还包括在所述衬底(11)上先制作一层挡光层(19)，所述挡光层(19)所处的位置对应于所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)。

5.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述氧化物半导体层(12)进行离子注入的方式为在PECVD设备中，用H离子或者Ar离子对所述氧化物半导体层(12)进行等离子体处理。