[发明专利]基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器在审
| 申请号： | 201511002792.7 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105552210A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;王兴昭;刘景全;杨春生 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/27 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中;樊昕 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 激光 切割 工艺 刻蚀 低频 能量 采集 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器，其特征在于，从最 底层起，依次包括：衬底层、绝缘层、压电层和上电极层，所述绝缘层、压电层和上电 极层之间键合，使用激光切割工艺，对所述衬底层、绝缘层、压电层和上电极层进行图 形化，实现器件的低共振频率要求，使用深硅刻蚀工艺，对衬底层进行减薄，同时保留 中心处的衬底厚度作为质量块。
2.根据权利要求1所述的基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器， 其特征在于，所述衬底层包括硅衬底，玻璃衬底或SOI衬底。
3.根据权利要求1所述的基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器， 其特征在于，所述绝缘层包括二氧化硅或氮化硅。
4.根据权利要求1所述的基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器， 其特征在于，所述压电层采用具有压电性能，能够产生压电效应的PZT或BCT-BZT材料。
5.根据权利要求1所述的基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器， 其特征在于，所述上电极层为导电薄层。
6.根据权利要求1所述的基于激光切割工艺和深硅刻蚀工艺的低频能量采集器， 其特征在于，所述能量采集器为d33压电能量采集器。
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