[发明专利]一种电平移位电路

权利要求书

1.一种电平移位电路，用于控制功率管的通断，其特征在于，包括：窄脉冲发生器、电平移位模块、信号锁存器、驱动级电路；

所述窄脉冲发生器用于根据低压占空比信号的上升沿输出第一窄脉冲信号，和根据输入的所述低压占空比信号的下降沿输出第二窄脉冲信号，所述第一窄脉冲信号和第二窄脉冲信号的翻转速度都大于所述低压占空比信号，所述窄脉冲发生器的供电端连接至低压供电电源，所述窄脉冲发生器的输入端接入所述低压占空比信号；

所述电平移位模块用于将所述第一窄脉冲信号反向并提升电位至浮动电源正极相对地之间获得第一高电平反向信号，和将所述第二窄脉冲信号反向并提升电位至所述浮动电源正极相对地之间获得第二高电平反向信号，所述电平移位模块的第一输入端接入所述第一窄脉冲信号，所述电平移位模块的第二输入端接入所述第二窄脉冲信号；

所述信号锁存器用于根据所述第一高电平反向信号和第二高电平反向信号输出高压占空比信号，所述信号锁存器的置位输入端接入所述第一高电平反向信号，置零输入端接入所述第二高电平反向信号；

所述驱动级电路用于根据所述高压占空比信号控制功率管的打开和关断，所述驱动级电路的输入端接入所述高压占空比信号，输出端连接所述功率管的栅极。

2.根据权利要求1所述的一种电平移位电路，其特征在于，所述电平移位模块包括第一高压MOS场效应管、第二高压MOS场效应管、第一钳位MOS场效应管、第二钳位MOS场效应管、第一电阻、第二电阻；

所述第一高压MOS场效应管的栅极为所述第一输入端，接入所述第一窄脉冲信号，源极连接所述低压供电电源的地，漏极连接所述第一钳位MOS场效应管的源极，

所述第一钳位MOS场效应管的栅极连接所述浮动电源的地，漏极连接所述浮动电源的正极，漏极与源极之间接入所述第一电阻，所述信号锁存器的置位输入端接入所述第一高压MOS场效应管的漏极与所述第一钳位MOS场效应管的源极之间；

所述第二高压MOS场效应管的栅极为所述第二输入端，接入所述第二窄脉冲信号，源极连接所述低压供电电源的地，漏极连接所述第二钳位MOS场效应管的源极，

所述第二钳位MOS场效应管的栅极连接所述浮动电源的地，漏极连接所述浮动电源的正极，漏极与源极之间接入所述第二电阻，所述信号锁存器的置零输入端接入所述第二高压MOS场效应管的漏极与所述第二钳位MOS场效应管的源极之间。

3.根据权利要求2所述的一种电平移位电路，其特征在于，所述第一电阻和第二电阻的阻值都是在1kΩ～10kΩ范围内。

4.根据权利要求2所述的一种电平移位电路，其特征在于，所述第一高压MOS场效应管和第二高压MOS场效应管的阈值电压都大于所述第一钳位MOS场效应管和第二钳位MOS场效应管的阈值电压。

5.根据权利要求1所述的一种电平移位电路，其特征在于，所述电平移位模块包括第一高压MOS场效应管、第二高压MOS场效应管、第一钳位三极管、第二钳位三极管、第一二极管、第二二极管；

所述第一高压MOS场效应管的栅极为所述第一输入端，接入所述第一窄脉冲信号，源极连接所述低压供电电源的地，漏极连接所述第一钳位三极管的发射极，

所述第一钳位三极管的基极连接所述浮动电源的地，集电极连接所述浮动电源的正极，所述信号锁存器的置位输入端接入所述第一高压MOS场效应管的漏极与所述第一钳位三极管的发射极之间，

所述第一二极管的负极连接所述第一钳位三极管的集电极，正极连接所述第一钳位三极管的发射极；

所述第二高压MOS场效应管的栅极为所述第二输入端，接入所述第二窄脉冲信号，源极连接所述低压供电电源的地，漏极连接所述第二钳位三极管的发射极，

所述第二钳位三极管的基极连接所述浮动电源的地，集电极连接所述浮动电源的正极，所述信号锁存器的置零输入端接入所述第二高压MOS场效应管的漏极与所述第二钳位三极管的发射极之间，

所述第二二极管的负极连接所述第二钳位三极管的集电极，正极连接所述第二钳位三极管的发射极。

6.根据权利要求5所述的一种电平移位电路，其特征在于，所述第一二极管和第二二极管的阻值都是在1kΩ～10kΩ范围内。