[发明专利]一种提高栅网离子阱性能的方法在审
| 申请号： | 201511008026.1 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105632867A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 党乾坤;黄彦东;丁航宇;丁传凡;周振;黄正旭;高伟;粘慧青 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;广州禾信分析仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/06 | 分类号： | H01J49/06;H01J49/42 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 离子 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高栅网离子阱性能的方法，其特征在于，是在装载有栅网的电极的栅网部分和电极部分分别施加射频电压，通过调节两者的电压幅值大小比例，来改善离子阱中的电场分布，进而提高质谱性能；
其中，所述栅网离子阱由四根柱状电极两两围绕一中心轴合围而成，且至少有一根柱状电极上加工有用于离子引出的狭缝并装载有栅网，栅网覆盖在离子引出狭缝的上方；电压施加方式是四极的，即是在一对电极上施加相位相同的电压，另一对电极接地，或者在两对电极上施加相位相反的电压，同时栅网和相应电极上所施加的电压相位相同。
2.根据权利要求1所述的提高栅网离子阱性能的方法，其特征在于，所述栅网离子阱中的装载有栅网的电极的栅网和该电极相互电绝缘。
3.根据权利要求1所述的提高栅网离子阱性能的方法，其特征在于，施加于栅网离子阱的射频电压，是正弦波，或者是数字化方波，或者是其它类型的波形。
4.根据权利要求1所述的提高栅网离子阱性能的方法，其特征在于，所述多个柱状电极的柱面几何结构是双曲柱面、平面柱面、三角形柱面、多边形柱面或弧面。
5.根据权利要求1所述的提高栅网离子阱性能的方法，其特征在于，所述栅网离子阱包括一个环电极和置于环电极两侧的两个端盖电极围成的三维离子阱，至少一端盖电极上装载有栅网，用于离子弹出。
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