[发明专利]一种存储单元的编程方法有效
| 申请号： | 201511008461.4 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106935269B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张赛;张建军;刘江;付永庆 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 编程 方法 | ||
1.一种存储单元的编程方法，其特征在于，包括：
接收编程指令；
基于存储单元的阈值电压判断存储单元当前所处的编程操作阶段；
根据所述编程操作阶段选择编程电压调节档位，向存储单元施加编程电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述编程操作阶段选择编程电压调节档位，向存储单元施加编程电压，包括：
根据存储单元当前所处的编程操作阶段，设定所述编程操作阶段对应的控制位；
根据所述控制位生成编程电压，并向存储单元施加所述编程电压。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储单元当前所处的编程操作阶段包括下述至少一项：
编程验证操作、预编程验证操作、第一次过擦除验证、第二次过擦除验证和恢复编程验证操作。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当存储单元当前所处的编程操作阶段为编程验证操作时，向存储单元的栅极和漏极施加的编程电压分别为9V和5V。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当存储单元当前所处的编程操作阶段为预编程验证操作或者恢复编程验证操作时，向存储单元的栅极和漏极施加的编程电压分别为8V和4V。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当存储单元当前所处的编程操作阶段为第一次过擦除验证时，向存储单元的栅极和漏极施加的编程电压分别为0V和5V。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当存储单元当前所处的编程操作阶段为第二次过擦除验证时，向存储单元的栅极和漏极施加的编程电压分别为2.5V和5V。
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